MOS晶体管的缺点主要包括以下几个方面：

1. 高静态电容：相比普通晶体管，MOS管的静态电容要高得多。这可能影响其在高频电路中的应用，因为高电容可能导致信号延迟和失真。

2. 低温度稳定性：MOS管的温度稳定性相对较低，意味着其性能可能随着温度变化而发生较大波动。在高温或低温环境下，MOS晶体管的性能可能受到影响，从而影响整个电路的稳定性。

3. 低阻尼系数：阻尼系数低可能导致电路中的振荡和不稳定现象，影响电路的正常工作。

1. 低电流放大倍数：相比某些其他类型的晶体管，MOS管的电流放大倍数较低。这可能限制其在需要高放大倍数的电路中的应用。

2. 开关速度较慢：虽然近年来经过改进，MOS晶体管的开关速度已有很大提高，但相比双极型晶体管，其工作频率仍然较低，开关速度较慢。

此外，MOS晶体管还需要外加静态电压控制，且存在栅极电容，可能出现失真、干扰等问题。

然而，尽管存在这些缺点，MOS晶体管仍因其高输入阻抗、低噪声、低功耗以及可制作成大功率器件和高频率器件等优点，在电子电路中得到了广泛应用。在设计和使用MOS晶体管时，需要根据具体的应用场景和需求，权衡其优缺点，并采取适当的措施来优化电路性能。