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PANJIT PTGH高速650V场停止壕igbt的介绍、特性、及应用
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PANJIT PTGH高速650V场停止沟槽igbt在T(VJ) +25°C时具有1.65V的低饱和电压，具有卓越的高速开关能力。PANJIT PTGH igbt与低Q(rr)和软恢复二极管共封装。igbt的最高结温为T(VJ) +175°C，确保了高效的性能。这些设备的设计保证了苛刻条件下的可靠性。一个正系数V(CEsat)可以方便地并行使用。此外，igbt是无铅的，符合欧盟RoHS 2.0标准，并利用符合IEC 61249标准的绿色成型化合物。
特性
优越的高速开关IGBT
T(VJ) +25℃时饱和电压低1.65V
共封装低Q(rr)和软恢复二极管
+175℃最高结温T(VJ)
由于正系数V(CEsat)，易于并行使用
无铅，符合欧盟RoHS 2.0
符合IEC 61249标准的绿色成型化合物
应用程序
联合包裹
光伏逆变器
电动汽车充电器
焊接机器
家用电器
维图
责任编辑：David
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