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英飞凌完善SiC MOSFET沟槽技术 200V CoolSiC G2 MOSFET
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与上一代产品相比，英飞凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 将存储能量和充电量提高了 20%。第二代 CoolSiC 沟槽 MOSFET 继续利用碳化硅的性能属性，有助于减少功率转换过程中的能量损耗并提高效率。
CoolSiC G2 对硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数进行了改进。这些器件的快速开关能力提高了 30% 以上，热性能比以前的器件提高了 12%。
CoolSiC G2 MOSFET 的大量产品组合适用于 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 级的所有常见组合。这些低导通电阻 SiC MOSFET 可用于光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电、电源和电机驱动。
责任编辑：David
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