Vishay SISD5300DN n沟道30v MOSFET的介绍、特性、及应用
Vishay的多功能30v n通道TrenchFET Gen V功率MOSFET采用3.3 mm × 3.3 mm PowerPAK 1212-F封装,采用源翻转技术。SiSD5300DN与PowerPAK 1212-8S占用相同的空间,导通电阻降低18%以提高功率密度,而其源翻转技术将热阻降低了+63°C/W至+56°C/W。此外,MOSFET的FOM比上一代器件提高了35%,从而降低了传导和开关损耗,从而节省了功率转换应用中的能量。
PowerPAK1212-F源翻转技术颠覆了通常的地垫和源垫的比例,扩展了地垫的面积,提供更有效的散热路径,从而促进更冷的运行。同时,PowerPAK 1212-F最大限度地减少了开关面积,有助于减少迹线噪声的影响。特别是在PowerPAK 1212-F封装中,源垫尺寸增加了10倍,从0.36 mm增加到4.13 mm,从而使热性能得到相应的改善。PowerPAK1212-F的中心栅极设计也简化了单层PCB上多个器件的并行化。
特性
3.3 mm × 3.3 mm PowerPAK 1212-F封装中的源翻转技术
导通电阻:0.71 毫欧在10v
导通电阻倍栅极电荷:42 m*nC
服务器
边设备
超级计算机
平板电脑
割草机和清洁机器人
无线基站
责任编辑:David
【免责声明】
1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。
2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。
3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。
4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。
拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。