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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N双N-Ch功率mosfet的介绍、特性、及应用
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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N双N-Ch功率mosfet具有较低的RDS(on)、栅极阈值和输入电容。onsemi NTJD5121N/NVJD5121N mosfet具有60V漏源电压和295A最大连续漏极电流。NTJD5121N/NVJD5121N具有AEC-Q101认证和PPAP功能，是汽车应用的理想选择。
特性
低R (DS(上))
低门限
低输入电容
ESD保护栅
NV前缀用于汽车和其他需要独特站点和控制更改要求的应用;通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
Pb-free设备
应用程序
低压负载开关
DC-DC变换器(降压和升压电路)
规范
295A最大连续漏极电流
10V时1.6欧姆和4.5V时2.5欧姆 (DS(ON))最大值
60V漏源电压
±20V栅源电压
900A脉冲漏极电流
-55°C至+150°C工作结和存储温度范围
引出线
责任编辑：David
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