onsemi NTMYS003N n沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用
来源:
hqbuy
2024-01-29
类别:基础知识
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拍明芯城
onsemi NTMYS003N n沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计而设计,采用5mm x 6mm LFPAK封装。该功率MOSFET具有低R(DS(ON)),低Q(G)和电容,80V漏源电压,±20V栅源电压,-55°C至175°C工作结和存储温度范围。NTMYS003N n沟道功率MOSFET无铅,符合RoHS标准。典型应用包括中压同步整流器MOSFET和电机开关。
特性
占地面积小(5mm x 6mm),设计紧凑
低R(DS(on)),最小化传导损耗
低Q(G)和电容,最大限度地减少驱动器损耗
LFPAK4封装,行业标准
Pb-free
通过无铅认证
规范
80V漏源电压
-55°C至175°C工作结和存储温度范围
±20V栅源电压
900A脉冲漏极电流
应用程序
中压同步整流MOSFET
电机开关
责任编辑:David
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