英飞凌凌CoolSiC 汽车用750V G1 SiC沟槽mosfet可帮助电动汽车制造商打造11kW和22kW双向车载充电器，提高效率、功率密度和可靠性。这些器件在高温(T(j,max) +175°C)下可靠地工作，具有英飞凌的专有技术。XT模具贴附技术，在同等尺寸的模具上实现最佳的热阻抗。

CoolSiC 750V G1技术提供非常高的鲁棒性，特别是对宇宙辐射，使其非常适合大于500V的母线电压。由于具有出色的抗杂散导通能力，这些器件可以用零伏V(GS)台下电压(单极栅极驱动器)安全地驱动，从而降低了系统复杂性、PCB面积占用和BOM数量。宽栅极源电压额定值(-5V至23V, V(GS)静态)确保与双极驱动的兼容性，以增加设计灵活性。

这款CoolSiC 汽车MOSFET 750V G1系列具有非常细粒度的产品组合，R(DS(on))(典型+25°C)从8毫欧到140毫欧，并提供7引脚D2PAK和QDPAK顶部冷却(TSC)封装。jedec发布的QDPAK TSC封装有助于最大限度地利用PCB空间，使功率密度加倍，并通过基板热去耦增强热管理。顶部冷却封装显著减少了设计冷却基础设施的工作量，是实现最高功率密度的关键。

特性

• 高度稳健的750V技术

• 同类最佳的R(DS(on)) x Q(fr)，在硬开关半桥中具有卓越的效率

• R(DS(on)) × Q(oss)和R(DS(on)) × Q(g)的优良数字使更高的开关频率成为可能

• 低交叉/高交叉(gsth)

• 100%雪崩测试

• 英飞凌贴片技术

• 尖端的顶部冷却封装

• 更高的可靠性

• 可承受500V以上母线电压

• 抗寄生匝

• 单极驾驶

• 一流的散热性能

• 通过无铅认证

应用程序

• 车载充电器

• 汽车用高压-低压直流-直流变换器

• 汽车静态开关(eFuses, BMS)