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ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET的介绍、特性、及应用
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ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET具有60V漏源电压(V(DSS))和±15.a连续漏极电流。该n沟道MOSFET提供38毫欧低导通电阻(R(DS(on)))和14W的功耗。RQ3L060BG MOSFET工作在-55°C至150°C的工作结和存储温度范围内，采用无卤素，大功率小模具封装(HSMT8)。这款符合rohs标准的设备包含无铅电镀。典型应用包括开关、电机驱动和DC/DC转换器。
特性
低导通电阻
大功率小模具封装(HSMT8)
无铅电镀，符合rohs标准
无卤素
100% Rg和ui测试
规范
60V漏源电压(V(DSS))
门源电压(V(GSS))
-55°C至150°C工作结和存储温度范围
38 毫欧R (DS(上)(最大)
±15.a连续漏极电流(I(D))
14W功耗
应用程序
切换
马达驱动器
直流/直流转换器
内部电路
责任编辑：David
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