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onsemi NVMFWS003N10MC单n沟道功率mosfet的介绍、特性、及应用
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onsemi NVMFWS003N10MC单n沟道功率mosfet在10V R(DS(ON))和100V漏源电压下提供169A连续漏极电流3.1毫欧。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引线封装，设计紧凑高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽车应用的理想选择。
特性
占地面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑
低R(DS(on))，最小化传导损耗
低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗
可湿性侧翼产品
通过aec - q101认证，具备ppap能力
无铅，无卤/无溴化阻燃，无铍，符合rohs标准
应用程序
48 v系统
开关电源
电池反保护
电源开关(高侧驱动、低侧驱动、h桥等)
规范
最大连续漏极电流
3.1毫欧在10V或3.8毫欧在4.5V R(DS(ON))最大
100V漏源电压
±20V栅源电压
900A脉冲漏极电流
-55°C至+175°C工作结和存储温度范围
典型的应用程序
责任编辑：David
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