onsemi NVBG095N65S3F n沟道superet III型MOSFET的介绍、特性、及应用
来源:
hqbuy
2024-01-19
类别:基础知识
2
拍明芯城
onsemi NVBG095N65S3F n沟道superet III MOSFET是一款采用电荷平衡技术的高压超级结(SJ) MOSFET。这种功率MOSFET提供更少的传导损耗,优越的开关性能,并承受极端的dv/dt速率。NVBG095N65S3F n沟道superet III MOSFET优化了主体二极管的反向恢复性能,从而消除了额外的组件并提高了系统可靠性。该MOSFET是AEC-Q101合格,PPAP能力,无铅,并符合RoHS标准。典型的应用包括汽车车载充电器和用于纯电动汽车的汽车DC/DC转换器。
特性
700v @t (j) = 150°c
典型R(DS(on)) = 78m
超低栅极电荷(典型Q(g) = 66nC)
低有效输出电容(典型C(损耗(eff)) = 597pF)
100%雪崩测试
通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力
Pb-free
通过无铅认证
应用程序
车载充电器
电动汽车用DC/DC变换器
典型特征图
责任编辑:David
【免责声明】
1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。
2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。
3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。
4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。
拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。