PANJIT的第1.5代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)是为电气工程师设计具有更低散热的高性能系统而开发的。快速恢复二极管(FRD)在关断操作时有一些反向恢复电流，在主开关打开时产生额外的开关损失。相比之下，肖特基势垒二极管没有反向恢复电流，因此它可以在更高的开关频率下使用，但它的缺点是由于更高的漏电而导致较低的击穿电压。SiC器件比硅器件具有更高的带隙能量，这意味着泄漏电流非常低。SiC器件具有更高的电子速度，比硅器件具有更好的开关性能。

　　PANJIT的SiC SBD Gen.1.5经过优化，对正向电压(V(F))具有较低的温度依赖性，因此可以在较高温度下抑制传导损失。通过在金属接触区添加P+层，形成结势垒肖特基(JBS)结构。因此，可以显着提高浪涌电流容量，这有助于确保冷启动系统运行的系统级可靠性。PANJIT的SiC SBD Gen.1.5系列具有650 V和1200 V击穿电压，额定电流为4 A至40 A，以及各种分立封装，如to - 220AC, to - 252aa和to - 247ad - 3ld。

　　特性

　　零反向恢复

　　不依赖于温度的开关

　　增强的浪涌电流能力

　　电动汽车充电桩

　　联合包裹

　　工业汽车

　　家用电器

　　数字电视