M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET为快速开关应用进行了优化，并提供了一个低22毫欧漏源通电阻。M3S系列SiC mosfet在使用18V栅驱动时提供最佳性能，但在使用15V栅驱动时也工作良好。该器件采用平面技术，工作可靠的负栅电压驱动和关闭栅上的尖峰。

　　onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET封装在D2PAK-7L封装中，用于低共源电感。

　　特性

　　为快速切换应用程序优化

　　低开关损耗

　　485µJ典型的开机开关损耗@ 40A, 800V

　　最佳性能为18V;15V兼容IGBT驱动电路

　　100%雪崩测试

　　提高功率密度

　　提高了对意外传入电压峰值或振铃的鲁棒性

　　应用程序

　　交直流转换

　　直粱转换

　　直流-直流转换

　　开关模式电源(SMPS)

　　联合包裹

　　电动汽车充电器

　　太阳能逆变器

　　能量存储系统

　　规范

　　1200V漏源极电压(V(DSS))

　　22毫欧漏源通电阻(R(DS(on)))

　　-10V/+22V门源电压(V(GS))

　　0.3V/℃漏源击穿电压温度系数(V((BR)DSS)/T(J))

　　零栅电压漏极电流(I(DSS))

　　±1µA栅源漏电流(I(GSS))

　　连续漏极电流(I(D))

　　58a @ t (c) = 25°c

　　41a @ t (c) = 100°c

　　功耗(P (D))

　　234w @ tc = 25°c

　　117w @ tc = 100℃

　　2.04V至4.4V栅阈值电压;典型2.72 V (V (GS (TH)))

　　3200pF输入电容(C(ISS))

　　148pF输出电容(C(OSS))

　　14pF反向传输电容(C(RSS))

　　18ns接通延迟时间(t(d(ON)))

　　上升时间(t(r))

　　47ns关断延迟时间(t(d(OFF)))

　　14ns下降时间(t(f))

　　反向恢复时间(t(RR))

　　-55°C至+175°C工作结和存储温度范围(T(J)， T(stg))

　　D2PAK7 (TO-263-7L高压)封装

　　内部原理图

　　计划大纲