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onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介绍、特性、及应用
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onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet是在F1包中包含一个全桥和一个热敏电阻的电源模块。这些mosfet具有热敏电阻和压合销。NXH0x0F120MNF1模块提供预应用热接口材料(TIM)和不预应用TIM选项。这些模块理想地用于太阳能逆变器，不间断电源，电动汽车充电站和工业电源。NXH0x0F120MNF1模块为无铅、无卤化物、符合RoHS标准。这些模块的存储温度范围为-40°C至150°C，工作结温度范围为-40°C至175°C。
特性
40m/1200V SiC MOSFET半桥(NXH040F120MNF1)
20m/1200V SiC MOSFET半桥(NXH020F120MNF1)
热敏电阻
压配合针
有预应用热界面材料(TIM)和不预应用热界面材料的选项
该产品不含铅、卤化物，符合RoHS标准
规范
-40℃~ 150℃的存储温度范围
-40℃的最低工作结温度
最高工作结温度175°C
-40°C至175°C的模块工作结温度
应用程序
太阳能逆变器
不间断电源
电动汽车充电站
工业强国
原理图
责任编辑：David
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