PANJIT的第二代屏蔽栅沟槽(SGT) MOSFET具有优异的性能系数(FOM)质量，为砖型模块中的DC/DC变换器拓扑提供了高效的设计解决方案。该100v SGT系列提供18个标准和17个逻辑级部件。PANJIT的晶圆技术使第2代SGT mosfet能够产生低栅电荷和R(DS(ON))，以最大限度地减少传导损耗，并创建优秀的FOM，以优化各种拓扑效率。

　　凭借其出色的系统效率性能和产品特性，gen2 SGT MOSFET是DC/DC变换器的最佳选择。DC/DC变换器是一种广泛应用于电信、工业电源等工业设备的功率转换系统。该应用需要极高的效率和可靠性，第2代SGT mosfet可以提供这一点，因为它们针对高开关应用环境进行了优化。

　　gen2 SGT系列有各种尺寸和包装选项，完全适用于所有砖尺寸和应用;可用的尺寸包括半砖、四分之一砖、八砖、十六分之一砖和三十分之一砖。可选包包括DFN5060和DFN3333。PANJIT的第二代SGT mosfet为DC/DC变换器系统以及LLC, PSFB，同步降压电路和需要低FOM和高电压mosfet的汽车48 V(DC/DC)系统的各种应用提供简单高效的设计解决方案。

　　特性

　　优秀的FOM

　　卓越的系统效率，更环保的产品

　　针对高开关应用进行了优化

　　低R(DS(ON))，使传导损失最小化

　　应用程序

　　砖的权力

　　电信电力

　　工业强国

　　汽车48v (DC/DC)系统