原标题：Diodes推出首款碳化硅SBD

　　Diodes 的新型 SiC 肖特基势垒二极管包括 DSCxxA065 系列，包括 11 款额定电压为 650V (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DSCxx120 系列，包括 8 款额定电压为 1.2kV (2A、5A 和 10A) 的产品。

　　Diodes Inc. 发布了首款碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包括 DIODES DSCxxA065 系列，包括 11 款额定电压为 650V (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120 系列，包括 8 款额定电压为 1.2kV 的产品(2A、5A 和 10A)。

　　这些宽带隙 SBD 具有显著提高效率和高温可靠性的优势，同时还满足了市场对降低系统运行成本和低维护的需求。这些器件适用于 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 开关转换器、光伏逆变器、不间断电源和工业电机驱动应用。这些器件还可用于各种其他电路，例如用于功率因数校正的升压转换器。

　　这些 SiC 器件的高效性能优于传统的硅基产品，并为电源设计人员提供了无与伦比的产品性能优势，例如：

　　• 由于容性电荷低(QC)，在快速开关应用中提供高效率。这适用于具有更高功率密度和更小整体解决方案尺寸的电路设计。

　　• 低正向电压(VF)，进一步提高效率，减少功率损耗和运营成本。

　　• 减少散热，有助于降低整体系统冷却预算。

　　• 高浪涌电流能力，可提高鲁棒性，提高系统可靠性，同时出色的热性能可降低构建成本。

　　三种封装选项包括表面贴装 TO252-2(WX 型)、通孔 TO220AC(WX 型)和 ITO220AC(WX-NC 型)。