借助 n 沟道和 p 沟道 MOSFET，您可以轻松地实现单刀双掷 (SPDT) 开关，以隔离电路的一部分，并在电路其余部分关闭时从次级电源为其供电，以便待机工作 (图1 ).通过使用互补对，您可以对 MOSFET 使用单个控制输入。这种拓扑结构中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A时表现出小于0.1V的压降，并且两个MOSFET都采用SO-8封装。

　　图1 n沟道和p沟道MOSFET对包括一个先开后合、单极、双掷开关(a)。当电路的其余部分关闭时，开关隔离电路的一部分，并在待机操作期间从次级电源为其供电(b)。

　　当 2N7002 或类似的控制 MOSFET 将栅极连接在一起并将它们拉到地时，p 沟道 MOSFET 导通。通过关闭 2N7002 将栅极拉到电源轨上方会导致 n 沟道 MOSFET 导通。将p沟道MOSFET的栅极拉到源极电位以上不起作用;MOSFET 保持关断状态，漏电流低。

　　由此产生的开关是先开后合配置，这是确保次级或始终接通电源永远不必为整个电路供电所必需的。然而，由于MOSFET的快速开关，可能不需要超出正常设计规则的额外电容来维持工作电压。

　　电路中n沟道器件的布置可确保内部二极管在子电路隔离时不导通。在这个方向上，n沟道MOSFET还为电路通过二极管的电源提供了一条故障安全路径。p沟道MOSFET二极管的正向电压阻止任何电流“反向馈送”次级电源，假设两个电源的电压接近。

　　该电路的一个应用示例是台式计算机中的高级配置和电源接口，可在待机状态下提供即时启动和低功耗。主电源为大功率开关电源，副电源为线性调节的60Hz变压器。(DI #2451)