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ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介绍、特性、及应用
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原标题：ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介绍、特性、及应用
ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET具有无铅电镀、低导通电阻和TO220AB高功率小模具封装。这个功率MOSFET是100% UIS测试和符合RoHS。RX3G07CGNC16 MOSFET工作在-55°C至150°C的温度范围，40V漏源极电压，和±70A的连续漏极电流。该MOSFET提供±140A的脉冲漏极电流和78W的功耗。这种MOSFET是理想的开关使用。
特性
低导通电阻
TO220AB大功率小模具封装
Pb-free镀
通过无铅认证
100%的用户界面测试
规范
-55°C至150°C的工作温度范围
40 v漏源极电压
±70A连续漏极电流
±140A脉冲漏极电流
78 w功率损耗。
150°C结温
内部电路
责任编辑：David
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