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ON Semiconductor NCx51705 SiC MOSFET栅驱动器的介绍、特性、及应用
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原标题：ON Semiconductor NCx51705 SiC MOSFET栅驱动器的介绍、特性、及应用
ON Semiconductor NCx51705的低侧，单6a高速驱动器的设计主要驱动SiC MOSFET晶体管。为了达到可能的最低传导损耗，驱动器可以向SiC MOSFET器件提供最大允许栅电压。通过在开断过程中提供高峰值电流，开关损耗也被最小化。为了提高可靠性，dv/dt免疫，甚至更快的关闭，NCx51705可以利用其车载电荷泵产生用户可选择的负电压轨道。对于隔离应用，NCx51705还提供外部可访问的5 V轨道，以驱动数字或高速光电隔离器的次级侧。
资源
技术文档:SiC mosfet:栅极驱动优化
技术资料:氮化镓晶体管和碳化硅晶体管之间的区别
利用带隙在HEV/EV充电应用
特性
具有分离输出级的峰值输出电流
扩展正电压额定值高达28 V最大
用户可调节内置负电荷泵(-3.3 V至-8 V)
可访问5v参考/偏置导轨
可调欠压锁定
快速减饱和函数
QFN24封装4毫米x 4毫米
允许独立开/关调节
有效的SiC MOSFET工作在传导期间
快速关闭和强大的dv/dt免疫
在隔离栅驱动应用中最小化偏置电源的复杂性
足够的V(GS)振幅匹配SiC最佳性能
自我保护的设计
寄生电感小、低封装
应用程序
高性能的逆变器
大功率电动机驱动
图腾柱全氟化物
工业及汽车司机
UPS和太阳能逆变器
大功率直流充电器
责任编辑：David
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