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Vishay / Siliconix si186ldp N-Channel 60V (D-S) mosfet器件的介绍、特性、及应用
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原标题：Vishay / Siliconix si186ldp N-Channel 60V (D-S) mosfet器件的介绍、特性、及应用
Vishay / Siliconix si186ldp N-Channel 60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET 第四代功率MOSFET技术。SiR186LDP mosfet具有非常低的R(DS) Q(g)值优点(FOM)，并调谐为最低的R(DS) Q(oss) FOM。Vishay / Siliconix si186ldp N-Channel 60V (D-S) mosfet是同步整流，初级侧开关，DC/DC变换器和电机驱动开关应用的理想器件。
特性
TrenchFET 第四代功率MOSFET
非常低的R(DS) - Q(g)值(FOM)
调整了最低的R(DS) - Q(oss) FOM
100% R(g)和UIS测试
应用程序
同步整流
一次侧开关
直流/直流转换器
马达驱动开关
线路图
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