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东芝面向继电器驱动器推出小型双MOSFET SSM6N357R

2018-02-27

类别：新品快报

148

拍明

电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一款新的“SSM6N357R”，该产品在漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。该器件适用于驱动机械继电器等感性负载。批量发货即日启动。

SSM6N357R集成有下拉电阻、串联电阻和稳压二极管，有助于减少零部件数量并节省电路板空间。此外，由于该产品是二合一的封装产品，与采用两个SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)单个封装产品的替代方案相比，其安装面积减小42%。

SSM6N357R采用行业标准的TSOP6F级封装，具备3.0V的低工作电压并且通过了AEC-Q101认证，因此适合于汽车和许多其他应用。

应用场合

汽车应用的继电器和螺线管控制

工业应用的继电器和螺线管控制

办公设备离合器控制

特点

节省电路板空间且元器件数量减少(实现了下拉电阻、串联电阻和稳压二极管的集成。)

3.0V的低工作电压

二合一封装

通过AEC-Q101认证

主要规格

SSM6N357R主要规格.png

等效电路

SSM6N357R等效电路.png

SSM6N357R

产品概要

Feature： Relay Drivers

Polarity： N-ch×2

Generation： π-MOSⅤ

Internal Connection： Independent

RoHS Compatible Product(s) (#)： Available

封装类型

SSM6N357R封装类型.png

Absolute Maximum Ratings

Characteristics	Symbol	Rating	Unit
Drain current (Q1)	I_D	0.65	A
Drain-Source voltage (Q1)	V_DSS	60	V
Gate-Source voltage (Q1)	V_GSS	±12	V
Drain current (Q2)	I_D	0.65	A
Drain-Source voltage (Q2)	V_DSS	60	V
Gate-Source voltage (Q2)	V_GSS	±12	V
Power Dissipation	P_D	1	W

产品特性

项目	符号	条件	数值	单位
Input capacitance (Q1) (Typ.)	C_iss	-	43	pF
Total gate charge (Q1) (Typ.)	Q_g	-	1.5	nC
Drain-Source on-resistance (Q1) (Max)	R_DS(ON)	V_GS=3V	2.4	Ω
Drain-Source on-resistance (Q1) (Max)	R_DS(ON)	V_GS=5V	1.8	Ω
Drain-Source on-resistance (Q1) (Typ.)	R_DS(ON)	V_GS=3V	1.2	Ω
Drain-Source on-resistance (Q1) (Typ.)	R_DS(ON)	V_GS=5V	0.8	Ω
Gate threshold voltage (Q1) (Max)	V_th	-	2.0	V
Gate threshold voltage (Q1) (Min)	V_th	-	1.3	V
Input capacitance (Q2) (Typ.)	C_iss	-	43	pF
Total gate charge (Q2) (Typ.)	Q_g	-	1.5	nC
Drain-Source on-resistance (Q2) (Max)	R_DS(ON)	V_GS=3V	2.4	Ω
Drain-Source on-resistance (Q2) (Max)	R_DS(ON)	V_GS=5V	1.8	Ω
Drain-Source on-resistance (Q2) (Typ.)	R_DS(ON)	V_GS=3V	1.2	Ω
Drain-Source on-resistance (Q2) (Typ.)	R_DS(ON)	V_GS=5V	0.8	Ω
Gate threshold voltage (Q2) (Max)	V_th	-	2.0	V
Gate threshold voltage (Q2) (Min)	V_th	-	1.3	V