原标题：STMicroelectronics 通过 40V STripFET F8 MOSFET 宣传节能和低噪声

　　STMicroelectronics 的 40V MOSFET、STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 在用于电源转换、电机控制和配电的电路中节能并确保低噪声。

　　STMicroelectronics 的 40V MOSFET、STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 在降低导通电阻和开关损耗的同时优化体二极管特性，可在用于电源转换、电机控制和配电的电路中节省能源并确保低噪声。

　　新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术来实现卓越的品质因数。STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG在栅源电压 (V GS ) 为 10V时的最大导通电阻 (R ds(on) ) 分别为 0.8mΩ 和 0.75mΩ。MOSFET 的每个裸片面积极其高效的 R ds(on)可实现节省空间且热效率高的 PowerFLAT 5×6 封装。

　　ST 先进的 STripFET F8 技术还通过低器件电容确保出色的开关速度，最大限度地减少栅漏电荷等动态参数，提高系统效率。设计人员可以在 600kHz 至 1MHz 范围内选择开关频率，允许使用更小的电容和磁性元件，以节省电路尺寸和材料清单，并提高最终应用的功率密度。

　　适当的输出电容和相关的等效串联电阻可防止漏源电压出现尖峰，并确保在关闭时更短的饺子振荡时间。凭借这一点以及体二极管的软恢复特性，与市场上其他类似器件相比，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 发出的电磁干扰 (EMI) 极低。此外，该二极管具有低反向恢复电荷，可最大限度地减少硬开关拓扑中的能量损失。

　　栅极阈值电压 (V GS(th) ) 在 STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 中受到严格控制，以确保器件之间的窄分布，从而促进多个 MOSFET 的并联连接以处理增加的电流。出色的短路耐用性也得到了保证，可承受高达 1000A 的电流(脉冲短于 10µs)。

　　STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 分别是第一款符合工业标准和 AEC-Q101 标准的 STPOWER STripFET F8 MOSFET 器件，是电池供电产品和计算、电信、照明和通用电源转换应用的理想选择。