原标题：Vishay SiSS52DN 30v n通道MOSFET的介绍、特性、及应用

　　Vishay的通用SiSS52DN 30v n通道沟槽场效应晶体管 为隔离和非隔离拓扑提供了更高的功率密度和效率，为使用这两种拓扑的设计人员简化了部件选择。在3.3 mm × 3.3 mm的热增强PowerPAK 1212-8S封装中，它具有10v下0.95 毫欧的最佳导通电阻，比上一代产品提高了5%。此外，该MOSFET提供了1.5 毫欧在4.5 V，而其29.8 毫欧*nC的导通电阻倍栅电荷在4.5 V(一个关键数字的优点(FOM)用于开关应用的MOSFET)是非常低的。与上一代器件相比，SiSS52DN的FOM提高了29%，降低了导通和开关损耗，从而在功率转换应用中节约能源。

　　特性

　　最佳在线电阻:0.95 毫欧在10 V

　　非常低的FOM: 29.8 毫欧*nC

　　提供了一个3.3 mm × 3.3 mm的热增强PowerPAK 1212-8S包

　　100% R(G)和ui测试，符合rohs，无卤素

　　应用程序

　　服务器、电信和射频设备的电源

　　下部切换

　　同步整流

　　同步降压转换器

　　直流/直流转换器

　　开关箱拓扑

　　或环型场效应晶体管

　　负荷开关