美国GENESIC碳化硅器件SiC超结晶体管(SJT)介绍及选型
原标题:美国GENESIC碳化硅器件SiC超结晶体管(SJT)介绍及选型
碳化硅SiC 超结晶体管 (SJT)介绍 Super JunctionTransistor
1、MOSFET反向恢复值很大(Reverse DiodeCharacteristics),所以一般会建议添加diode。
2、JFET是一个“常开”性器件,控制方式非常复杂。
3、SJT是一个“常关”性器件,是替代IGBT下一代技术,更高的开关频率(200KHZ),更低的开关与导通损耗,驱动损耗最低(5V),更小的电容、电感与散热器,降低无源器件成本(20%-30%)。
SJT的特性/好处
超高电流增益 BJT
常关型,准多数载流子器件技术
工作温度范围到 250℃
Vf 的正温度系数,易于并联使用
温度独立的超快开关瞬态
应用
航天和国防
井下石油钻井, 地热测试设备
混合电动车辆
太阳能逆变器
功率因数校正
UPS 和电机驱动
• SiCSJTs
Ø 导通电阻250 mΩ
Ø 额定电压1200 V
Ø 业内标准封装
Ø RoHS认证
目前常用型号:
GA03JT12-247
GA04JT17-247
GA05JT12-247
GA05JT12-263
GA06JT12-247
GA08JT17-247
GA10JT12-247
GA10JT12-263
GA16JT17-247
GA20JT12-247
GA20JT12-263
GA50JT12-247
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