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东芝80 V UMOS-X功率mosfet的介绍、特性、及应用
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原标题：东芝80 V UMOS-X功率mosfet的介绍、特性、及应用
由于mos - x沟槽结构，东芝的80v mosfet提供了优秀的R(DS(ON))。这种低电压过程有助于降低传导损耗，从而整体上有助于降低设备的功耗。这一过程也延续了前几代人的优点，如低栅极开关电荷。这些80v mosfet提供了一个低值的优点，这体现了on电阻和栅电荷之间的权衡。
这些器件适用于工业设备的开关电源，包括高效率的AC/DC和DC/DC转换器。其他应用包括驱动电机控制设备。目前的封装选项包括通孔TO-220和隔离TO-220SIS，以及表面安装DPAK。
特性
低通电阻:R(DS(ON)) = 2.44 毫欧 (max) at V(GS) = 10 V(TK2R4E08QM)
低电荷(输出和门开关)
低栅电压驱动(6v驱动)
应用程序
工业设备开关电源(高效AC/DC变换器、高效DC/DC变换器等)
电机控制设备(如电机驱动器)
责任编辑：David
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