据韩国经济报导，SK海力士(SK Hynix)以21纳米制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品，2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10纳米级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash，持续扩大3D NAND的生产比重。

SK海力士DRAM技术本部长金进国(音译)表示，IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增，2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4，公司以21纳米技术量产的DRAM恰好能满足市场需求变化。

金进国进一步表示，SK海力士启动21纳米DRAM量产的时间比竞争同业略晚，但由于启用新制程会带来许多不确定性，因此不得不谨慎看待。经由反覆测试所累积的经验也可视为公司的无形资产，有助于从事更先进制程研发。目前预估2016年底可完成10纳米级DRAM研发，计划在2017年上半投产。

SK海力士NAND研发本部3D技术负责人金基硕表示，NAND Flash市场的成长速度比DRAM市场还快，2016年第3季NAND Flash事业成功取得盈余，若持续提高3D NAND Flash的产品竞争力，未来应可稳定维持获利。

金基硕表示，截至第3季为止3D NAND Flash在整体NAND Flash的生产比重还不到10%，公司计划在维持2D产品的获利性下，同时提高3D产品的生产比重，目标2016年底前提升到15%左右。2017年上半应可完成72层3D NAND Flash研发，若顺利在2017年下半投产，3D产品的生产比重可更进一步扩大。

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 

DRAM工作原理

动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。

3管动态RAM的工作原理

3管动态RAM的基本存储电路如右图所示。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。

写操作时，写选择线为"1"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1",则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反；若原存信息为"0",则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为"1"。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相再送往 数据总线。

DRAM结构

在半导体科技极为发达的台湾，内存和显存被统称为记忆体（Memory），全名是动态随机存取记忆体（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。基本原理就是利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1，这就是一个二进制位元（bit），内存的最小单位。

DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个晶体管另加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。随着科技的进步，以及人们对超频的一种意愿，这些频障也在慢慢解决。

海力士

Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。

市场概况

市场地位

在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人.海力士（Hynix）半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。

市场前景

海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。

三星 DRAM 明年迈 15 纳米

三星电子智能手机吃闷棍，力拼内存事业救业绩!据传三星为了稳固龙头地位，将在明年下半生产 15、16 纳米 DRAM，对手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)远远落后，技术差距约为一年半。

BusinessKorea 31 日报导，半导体产业透露，三星内存部门今年初量产 18 纳米制程 DRAM，准备在明年下半生产 15、16 纳米 DRAM。同时，该公司将拉高 18 纳米 DRAM 占整体 DRAM 的生产比重，目标明年下半提高至 30~40%。相关人士说，明年三星 10 纳米等级 DRAM，将占整体 DRAM 生产的一半。DRAMExchange 估计，当前三星 DRAM 生产以 20 纳米为主、占 82%，18 纳米仅占 12%。

三星制程微缩进展比原先预期更为快速，内存部门主管 Chung Eun-seung 2015 年初暗示，2020 年将量产 10 纳米等级 DRAM，如今看来，应该 2019 年初就能达成目标。

三星是 DRAM 霸主，IHS 数据显示，今年第二季三星的 DRAM 市占率高达 46.6%。对手 SK 海力士和美光的 DRAM 制程仍停留在 20 纳米等级，要到明年第二季之后才会开始生产 18 纳米 DRAM，技术差距约在一年到一年半之间。