原标题：安森美半导体NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL n沟道mosfet的介绍、特性、及应用

安森美半导体NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL n沟道mosfet是WQFN12封装中的POWERTRENCH 功率夹对称双沟道mosfet。这些器件包括双封装中的两个专门的N通道mosfet。交换机节点内部连接，便于放置和路由同步降压转换器。控制MOSFET (Q2)和同步MOSFET (Q1)被设计为提供最佳的功率效率。NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL n沟道mosfet提供低R(DS(on))，低Q(G)和电容，低导/驱动损耗。典型的应用包括DC-DC变换器、通用负载点、单相电机驱动、计算和通信

特性

• 先进的WQFN12封装技术，占地面积小(3mm x 3mm)

• 配置为半桥，以减少包寄生

• 低R (DS(上))

• 传导损失最小化

• 低Qg和电容

• 司机的损失最小化

规范

• NTTFD4D0N04HL:

• 在V(GS) = 10V, I(D) = 10A时，Max R(DS(on)) = 4.5毫欧

• Max R(DS(on)) = 7毫欧at V(GS) = 4.5V, I(D) = 8A

• 在V(GS) = 10V, I(D) = 10A时，Max R(DS(on)) = 4.5毫欧

• Max R(DS(on)) = 7毫欧at V(GS) = 4.5V, I(D) = 8A

• Q1: N-频道:
  

• Q2: N-频道:
  

• NTTFD9D0N06HL:

• 在V(GS) = 10V, I(D) = 10A时，Max R(DS(on)) = 9毫欧

• 在V(GS) = 4.5V, I(D) = 8A时，Max R(DS(on)) = 13毫欧

• 在V(GS) = 10V, I(D) = 10A时，Max R(DS(on)) = 9毫欧

• 在V(GS) = 4.5V, I(D) = 8A时，Max R(DS(on)) = 13毫欧

• Q1: N-频道:
  

• Q2: N-频道:
  

应用程序

• 计算

• 通信

• 通用负载点

• 直流-直流转换器

• 单相电动机驱动器

• 电源模块

电气连接