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安森美半导体NVMFS3D6N10MCL单n通道功率MOSFET的介绍、特性、及应用
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原标题：安森美半导体NVMFS3D6N10MCL单n通道功率MOSFET的介绍、特性、及应用
安森美半导体NVMFS3D6N10MCL单n通道功率MOSFET是为紧凑、高效、具有高热性能的设计而设计的。该MOSFET具有低漏源电阻(R(DS(on)))以最小化传导损耗和低Q(G)/电容以最小化驱动损耗。NVMFS3D6N10MCL MOSFET是AEC-Q101合格的和PPAP能力。这个MOSFET在一个小DFN5扁平铅封装与5mm x 6mm尺寸。典型的应用包括48V系统、开关电源、电源开关(高侧驱动、低侧驱动和h桥)和反向电池保护。
特性
低R(DS(on))以减少传导损耗:
10V时3.6毫欧(最大)
4.5V(最大)时5.8 毫欧
漏极-源极电压(V((BR)DSS))
最大漏极电流(I(D))
低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗
AEC-Q101合格，PPAP能力强
小型DFN5包，5mm x 6mm尺寸
应用程序
电磁驱动48V系统
用于电机控制的开关电源
反向电池保护
电源开关(高侧驱动、低侧驱动和h桥)
性能图表
责任编辑：David
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