存储器制造厂华邦电子董事会核准新台币77.76亿元资本支出，将用以购置设备;另旺宏董事会也决议投资新台币6.5亿元，扩充晶圆厂高端产能。

华邦电先进制程开发有成，成功自行开发3x纳米制程技术，为中国台湾地区首家成功自行开发纳米级动态随机存取存储器(DRAM)技术厂商。

为增加服务客户弹性，华邦电Fab C新厂预计12月引进机台，明年第1季投片，第3季挹注业绩。

华邦电董事会今天核准新台币77.76亿元资本预算，将用以购置设备，预计今年第4季起陆续投资，将以自有资金及银行融资支应。

另一存储器制造厂旺宏董事会也通过资本支出预算案，决议投资新台币6.5亿元，扩充晶圆厂高端产能。

华邦电子股份有限公司

於1987年9月创立於新竹科学园区，1995年正式於台湾证券交易所挂牌上市，2008年7月总部迁至中部科学园区，以十二吋晶圆厂为主要之研发与生产基地，产品之制程技术涵盖范围0.11μm~70nm。今日的华邦致力於记忆体产品的生产与设计，其中包含「DRAM产品事业群」、「记忆IC制造事业群」及「快闪记忆体IC事业群」三大领域。

主要商品及服务

业务主要内容包含积体电路及其相关产品之研发、设计、生产、销售及售後服务。DRAM主要产品包括Specialty DRAM、以及Pseudo SRAM 和Low Power SDRAM之Mobile RAM系列产品可广泛应用在消费性(Consumer)、通讯(Communication)、电脑周边(Computer Peripheral)以及车用电子(Automobile)等四大领域，另有高阶DRAM-GDDR产品，则锁定个人电脑、游戏机和多媒体等应用市场。快闪记忆体产品，聚焦中低密度Parallel和Serial二种NOR Flash，产品广泛应用於个人电脑及周边、光碟机、无线网路、DSL数据机、DVD播放机、机上盒和电视机等...。

相关信息：Q2全球DRAM总营收91亿美元台厂华邦电表现最佳

TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，由于市况供过于求，第2季DRAM的平均销售单价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%，但受惠美光20纳米及SK海力士21纳米产出顺利，带动位元供给成长，第2季全球DRAM总营收约91亿美元，季成长6.3%;三星、SK海力士、美光三大厂营收都成长，台厂部分，以华邦电( 2344-TW )营收季增3.3%表现最佳。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第2季笔记型电脑及伺服器相关产品出货动能表现一般，但中国地区的智慧型手机出货依然强劲，DRAM三大厂同步调整产品类别，持续向行动式存储器转进。伴随第3季强劲的旺季备货需求到来，DRAMeXchange预估第3季全球DRAM总营收将出现较显著的成长。

三星依然是DRAM产业营收排行第一，营收季成长约8.7%，市占达47.4%;SK海力士DRAM营收季成长4%，市占达26.5%，排名第二;美光集团仍位居第三，营收季成长8.8%，市占19%。

受销售单价下跌的压力影响，与上季相较，三星营业获利率由40%降至36%，SK海力士由24%下降至18%，美光集团则因制程转进逐渐稳定，营业获利率由-1.2%略升为-0.6%。

三星20纳米已稳定的成为各产品线主流制程，为三大厂商当中成本最低，原订2016年中要导入的18纳米制程则在三星控制产出的考量下，小幅减少投片量。三星后续的获利策略将以提升销售单价为优先，不一味寻求降低成本。

SK海力士的21纳米制程已导入约2个季度，目前主要的量仍集中在标准型存储器。今年下半年可更加着力在降低成本，以提高获利表现。第2季美光集团20纳米产出比重稳定提升，有助于提高营业获利，待未来持续降低成本。吴雅婷指出，下半年因DRAM价格上涨，可望继续提升美光集团获利表现。

　　由于第二季标准型、利基型存储器价格跌落谷底，加上主力客户放慢拿货力道，导致南亚科( 2408-TW )营收季衰退12.3%，但随着新工厂Fab 3A North完工，明年上半将导入制程，届时南亚科成本有望进一步降低。

第二季力晶科技DRAM营收小幅下滑6.3%，主要由于液晶驱动器(LCD Driver)需求强劲，转而减少DRAM产品比重所造成。

华邦电第2季营收小幅成长3.3%，除46纳米比重持续提升外，利基型、行动式存储器皆有贡献，华邦电新工厂Fab C预定最大产能预定约1.6万，将进行最新的38纳米制程，最快于明年上半进入试产。