MCC分离栅技术MOSFET介绍_特性_技术指标及应用领域
来源:
hqbuy
2021-06-29
类别:基础知识
42
拍明
原标题:MCC分离栅技术MOSFET介绍_特性_技术指标及应用领域
Micro Commercial Components MCC分离栅技术MOSFET支持极低的RDS(ON),可在较小的封装中实现更高的电流密度。这些MOSFET支持更高的BVdss,更高的N掺杂和更低的 Qgd,从而减少了电荷耦合。这些SGT MOSFET具有改进的品质因数(FOM),可降低开关损耗和传导损耗。典型的应用包括节省空间和高效率要求的应用。
MCC分离栅技术MOSFET特征
低RDS(ON) 允许更高的电流密度
BVDSS增加
漂移区中较高的N掺杂
QGD减小,从而降低了米勒电荷耦合
改进的FOM减少了开关和传导损耗
高效率和高质量
交货快
各种LV mosFET产品组合
MCC分离栅技术MOSFET技术指标
1.5Ω低R DS(ON)
30V至150V宽电压范围
MCC分离栅技术MOSFET应用领域
节省空间
高效要求的应用
MCC分离栅技术MOSFET功能结构图
责任编辑:David
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