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MCC分离栅技术MOSFET介绍_特性_技术指标及应用领域

来源: hqbuy
2021-06-29
类别:基础知识
eye 42
文章创建人 拍明

原标题:MCC分离栅技术MOSFET介绍_特性_技术指标及应用领域

Micro Commercial Components MCC分离栅技术MOSFET支持极低的RDS(ON),可在较小的封装中实现更高的电流密度。这些MOSFET支持更高的BVdss,更高的N掺杂和更低的 Qgd,从而减少了电荷耦合。这些SGT MOSFET具有改进的品质因数(FOM),可降低开关损耗和传导损耗。典型的应用包括节省空间和高效率要求的应用。




MCC分离栅技术MOSFET特征


低RDS(ON)  允许更高的电流密度

BVDSS增加

漂移区中较高的N掺杂

QGD减小,从而降低了米勒电荷耦合

改进的FOM减少了开关和传导损耗

高效率和高质量

交货快

各种LV mosFET产品组合



MCC分离栅技术MOSFET技术指标


1.5Ω低R DS(ON)

30V至150V宽电压范围



MCC分离栅技术MOSFET应用领域


节省空间

高效要求的应用



MCC分离栅技术MOSFET功能结构图


MCC分离栅技术MOSFET功能结构图


责任编辑:David

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