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SJ-MOS技术加成,维安全新MOSFET让Rdson更低

来源: 中电网
2021-03-30
类别:新品快报
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文章创建人 拍明

原标题:SJ-MOS技术加成,维安全新MOSFET让Rdson更低

  受益于国家对新基建项目的重视,新能源电动汽车充电桩和5G基站建设速度迅猛。应新能源汽车续航里程提升和快速充电的要求,充电桩的功率已高达120KW到180KW。同样,5G领域也很讲求功率的高效性,5G基站单站满载功率近3700W,约为4G基站的2.5~3.5倍,电费亦会随之攀升至3G、4G的4~5倍之大。面对这些用电大户,耗电问题将是5G时代运营商无法回避的问题。降低能耗,提升电源效率,是选择功率半导体器件时的主要考虑因素。

  目前,功率MOSFET中TO-247封装是充电机、充电桩和基站高功率电源模块应用中最通用的封装形式。针对超低内阻的高压MOS产品需求,在常规TO-247封装不能满足的情况下,电源工程师往往会使用诸如TO-247MAX,、TO-3P(L) 、TO-264、PLUS TO-247等超大体积封装来代替。这种超大封装不仅不通用,且成本较高。

  顺应趋势,维安经过多年的SJ-MOS技术研发创新,开发出行业内超低导通电阻产品——WMJ120N60CM,采用常规 TO-247封装的600V高压SJ-MOS,导通电阻Rdson低至16.5mΩ,能够有效提升电源功率密度,解决应用痛点。

图1 常规TO-247 封装示意图

  在品质因数FOM(Rdson*Qg)方面,WMJ120N60CM达到业界领先水平。

  在3.3KW PFC模块电路测试中,WMJ120N60CM和行业某知名厂商的65R019C7效率几乎无差异,甚至比60R019C7高出0.15~0.34%; 对应的输入功耗小了1~4W。

230Vac 输出400V/8.31A条件下开关波形:

  VGS 开通延迟时间两者无差异:WMJ120N60CM 155ns, 65R019C7 148ns.

  从VGS 关断波形来看, WMJ120N60CM 比65R019C7 略快。

  WMJ120N60CM具有业内领先的导通电阻Rdson,且是TO-247通用封装,在有效提升电源功率密度的同时又节省了空间。目前此款产品主要面向高功率电源模块,比如新能源汽车地面充电桩模块电源通信电源和高功率充电机等行业,在减少成本费用的情况下实现高效,加速新基建全面落地。

  维安(WAYON)是电路保护元器件及功率半导体提供商。WAYON始终坚持“以客户为导向,以技术为本,坚持艰苦奋斗精神”的核心价值观。致力于通过技术创新引领市场,努力成为全球电路保护元器件及功率半导体的领先品牌。



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