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东芝发布采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET,有助于提高大电流设备效率

来源: 中电网
2021-03-19
类别:新品快报
eye 28
文章创建人 拍明

原标题:东芝发布采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET,有助于提高大电流设备效率

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,今日开始批量出货。


 
TOLL是一种表面贴装型封装,所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装,能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接,从而减小封装中源极线的电感,进而发挥MOSFET实现高速开关性能,抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z[1]相比,其导通开关损耗降低了约68%,关断切换损耗降低了约56%[2][3]。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。
 
TOLL封装与最新[4]DTMOSVI工艺技术相结合扩展了产品阵容,覆盖了低至65mΩ(最大值)的低导通电阻[5]。东芝将继续采用TOLL封装工艺对产品进行改进,以减小设备尺寸并提高效率。
 

·       应用

数据中心(服务器电源等)
光伏发电机的功率调节器
不间断电源系统
 

·       特性

薄而小的表面贴装封装
采用4引脚封装,可以减少导通和关断的开关损耗。
最新[4]的DTMOSVI系列
 

·       主要规格

(Ta=25℃)

器件型号







TK065U65Z

TK090U65Z

TK110U65Z

TK155U65Z

TK190U65Z




封装









名称

TOLL

尺寸典型值
(mm)

9.9×11.68,厚度=2.3


绝对最大额定值

漏源电压
VDSS(V)

650


漏极电流
(DC)
ID(A)

38

30

24

18

15


漏源导通电阻
RDS(ON)最大值(Ω)
@VGS=10V

0.065

0.09

0.11

0.155

0.19


栅极电荷总量
Qg典型值(nC)

62

47

40

29

25


栅漏电荷
Qgd典型值(nC)

17

12

11

8

7.1


输入电容
Ciss典型值(pF)

3650

2780

2250

1635

1370


结壳热阻
Rth(ch-c)最大值(℃/W)

0.462

0.543

0.657

0.833

0.961


常规系列(DTMOSIV)
器件型号

-

-

-

TK20G60W[6]

TK16G60W[6]


库存查询与购买









注:
[1] 具有等效电压和导通电阻的DTMOSVI系列产品均采用无开尔文连接的TO-247封装工艺
[2] 截至2021年3月10日,东芝测得的数值(测试条件:VDD=400V,VGG=+10V/0V,ID=15A,Rg=10Ω,Ta=25℃)。
[3] 仅限TK090U65Z
[4] 截至2021年3月10日
[5] 仅限TK065U65Z
[6] VDSS=600V,D2PAK封装



责任编辑:David

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