今年的DRAM/NAND产能真的是到了一个高峰期，据报道，面对DRAM/NAND产能“疯狂”需求，三星和SK海力士欲在2018年增加产能，而且扩张仍会涨价，背后到底有啥原因，所以本文将阐述背后的原因。

最近读到一篇文章，里面提到“以存储器为中心的计算方式”等想法，这些变化将对半导体制造和存储行业产生巨大影响，尤其是两大手机硬件厂商——三星和苹果，它们可谓是科技行业的金丝雀。然而三星不仅大量使用内存，也是最大的制造商。而苹果这边，公司最近投资一家财团，这个公司正在谋划收购东芝内存份额，如果这个协议完成，那么苹果也会成为存储器生产商的一个角色。

内存价格变化太快，如今已经变得想当昂贵，并将继续占据设备制造商BOM的成本份额。这对内存垄断者和他们的客户都有很大影响。有分析师表示，三星和SK海力士欲在2018年增加产能，这将会导致产能过剩，让行业的毛利率大幅下滑，而且会持续到2020年。比如美光的股东回报预计在2019年和2020年下降。

尽管三星电子和SK海力士在内存行业下了血本，两家公司都在增加DRAM和NAND的投资，这也将会打破目前供应不足的情况，并使得内存价格得以缓解。

不过我现在认为这样的观点是错误的，不仅如此存储器的制造商也是这么认为的。2018年 NAND闪存市场疲软归因于3D NAND受益波动，也是业内其他厂商开始疯狂追赶英特尔和美光的结果。但由于需求旺盛，所以前景并没有那么疲软。三星难道会放弃DRAM和NAND高价?从三季度业绩也可以知道，三星的日子可谓滋润，在半导体领域的运营利润达到50%。

从行业角度来看，这也关乎到存储器行业厂商的自身利益，大家都有自我保护意识，不会轻易让DRAM和NAND价格出现问题，所以本文将阐述背后的原因。

另一方面，苹果也加入到了存储器这个大“派对”，苹果似乎垂涎了三星在这个领域的收入。不过这对苹果也是一个问题，就是避免业务模式变化。

技术转型

计算方式正在处于一个历史性变化的早期阶段，这将会带来深远的影响。简单的说，计算的焦点正在从处理器转到内存。自20世纪40年代后期信息时代开启之时，冯·诺依曼计算机模型一直占主导地位。在这个构架中，图灵的存储程序模型在一个使用内存总线的架构中使用，且该架构必须由指令和数据共享。值得注意的是，大部分的数据存储被定义为外部的中央处理器及其本地的内存资源。这种情势下，处理器的统治地位诞生了，其越来越快的发展让缓慢发展的内存和存储技术很“羞涩”。

处理器/存储器发展失衡，导致“内存墙”现象(指的是内存性能严重限制CPU性能发挥的现象)。因为内存技术跟不上，多年来，在缓存设计和管理方面的创新已经使性能得到了提升，然而这种构架的局限性，让这种模式必然走到尽头。更糟糕的是，随着处理器开发创新了多核设计，每个内核的内存将系统性能瓶颈从FLOPS转移到内存延迟。将数据移入和移出以处理器为中心模型的高级缓存的需求非常高。

当数据呈指数级别增长时，我们必然会遇到以上所说问题。如今人工智能、深度神经网络、大数据、内存计算、物联网、VR/AR、云计算都在蓬勃发展，我们在经历世界数字化发展，这必然会给我们带来更多数据上的烦恼。不幸的是，以处理器为中心的模型已经渐渐不能解决这些头疼问题了。

我只能说：“欢迎来到新世界”。冯·诺依曼计算已经到达性能极限，以内存为中心的新型计算模式将会积极发展，并取代它。有一点可以确定，就是支持它所需要的软件和系统工具将需要一定时间才能完全实现，全新的NVMs(非易失性存储器)和处理器到存储器的互联模型(如 “ Gen-Z” 和“OpenCAPI” )还没有被部署。

与此同时，大数据、物联网、AI/ML和爆炸式增长的数据正在给现有技术巨大压力。当到了发展中期，所有的计算设备制造商也会用越来越多的DRAM和NAND来解决这个问题。这也会是长期的解决手段(十年或者二十年)，我们需要新的存储器来增强和取代今天的技术。与新内存技术一样重要的是开发一种新的编程和系统实现方式，这项工作也正在进行中，并且被称为NVM编程模型。

这种新的编程模型会对海量数据存储进行低延迟数据访问，正如Micron的Pawlawski所说，处于功耗和性能方面的考虑，我们将再也不能将数据移动到处理器，数据将进行本地数据处理。要做到这一点，我们需要新的非易失性内存，无需移动和解压设备(SSD或者HDD)中的数据。最终，我们需要构建和配置一个映射的混合内存环境。DRAM和NAND将会存在很多年，不过未来新存储器所带来优势为设计人员带来更多显著的好处——功耗和性能。如此一来，三星和苹果不得不重新思考他们的硬件构架，来适应这种新的计算模式。他们得增加更多内存到设备中去。(英特尔近期宣布在2018年下半年推出3D XPoint NVDIMMS直指混合内存的未来。)

存储器厂商的未来趋势

下图是1997年以来DRAM制造商名单

如今，三家公司几乎垄断了DRAM 95%的出货量，其中三星最大，其次是SK海力士和美光。NAND闪存行业则有更多的参与者，不过仍只是五家制造商，有三星、东芝/西部数据(合资公司)、美光(与英特尔合资部署3D XPoint，今年年底将脱离NAND)、SK海力士和英特尔。随着时间的推移，中国企业也会占有一席之地，不过能否取得长足进步并带来实质性的成果，还是有很多质疑的。毕竟这个行业进入门槛很高，至少要经历10年到20年的积累和发展期，存储器将会由一个个紧密合作的寡头垄断。

值得一提的是，这个行业在财务上有一段曲折的故事，所以该行业在整合前面临很大的困难。下面这张图也反应了这个时代的财务难题。

这段历史导致了市盈率相当低，让投资者甚至怀疑这些公司的盈利能力。

下一个关键因素，就是资本密集度高。这中间需要很长的交货时间来增加新晶圆的制造能力，一旦晶圆制造能力得到提高，必须在多年内有高利用率才能负担得起背后的巨大投资。新DRAM和NAND晶圆厂耗资数十亿美元，需要平均两年才能完成建设，来完善良好收益的生产流程。

还有一个关键因素，这里也是个知识产权密集地。不受限制得获得知识产权对公司运营和财务的成功才是至关重要的。而且知识产权的培养又费时又贵，研发成本非常高(去年美光和WDC上涨了9%)，但知识产权杠杆率如此之高，导致了每年的财务表现变化莫测，但仍需保持高投资水平。如今，这个行业变得尤为重要，新一代NVM的推出最终会取代DRAM和NAND。

可以说，行业的供需平衡问题从来没有带来更多机会和风险，但平衡这两者却不容易。2015—2016年低迷期投资这个行业的人都了解这一点。毕竟行业只能直接控制供给，影响需求的能力还是有限的。另一方面，DRAM需求对价格下降的反应相对较少，因为它对设备性能非常重要，用例需求和竞争压力会使其上升。

即使考虑到供应本身，行业怀疑论者指出，有太多的变量会影响产出，在实际操作中，即使是一个整合的行业，也可能难以校准供应，以匹配预测的需求水平。

想要得到更多产量，第一个就是晶圆厂扩产，来每月生产更多的晶圆。不过这会带来正反两方面影响，一个是新工艺要求更多的机器和更多的产能而导致晶片输出的损失，这些步骤占用了更多的空间和更多的时间。如DRAM和3D NAND(3D to 3D)闪存新工艺引入大约有10%的晶片损失。另一方面，新工艺却能让一块晶圆产生更多芯片，这也是衡量制造工艺质量和生产率的一个指标。产量通常开始较低，然后随着时间推移而得到改善。例如，今年以来，一些预测者预测NAND供应过剩(因此ASP下滑)，因为新的64层工艺3D NAND的产量将在今年下半年大幅攀升。另一方面，成本也会下降，因为模具成本和工艺设计、成品率、成品率之间是函数关系。

以上这些又能说明什么?存储器行业是个发展缓慢，投资周期长的产业。在这个行业里的各个公司都知道，它们各自采取行动，但共同承担能力投资决策的后果。过多的工业产能会带来极其繁重的财务后果。另一方面，在投资能力方面，下行空间有限，财务收益也有限。

存储器客户也渐渐意识到一些问题，首先是需求问题，客户需要充足的供货。其次是成本问题，在性能和需求方面，成本也有很大因素。从2016年中到如今，DRAM和NAND一直供不应求，且价格不断上涨。DRAM的供应受到了很大限制，价格在过去一年翻了一倍多。对于苹果这样的供应商来说，简直是双重打击，毕竟它们需求量大，导致了它们BOM成本趋于上升。对于存储器制造商来说，这种情况虽说赚的很多，不过却不能满足OEM日益增长的需求。

我们看过很多关于存储器价格暴涨的新闻，三家DRAM供应商也都曾明确表示自己的态度。三星表示2018年DRAM产能增长不会超过20%，需求量却要增长25%。关于NAND，三星表示：“供应方面，虽说64层产量在扩大，因为技术难度增加，与需求增长相比，供应增长预计将受到限制，”

关于DRAM，三星也透露：

“在密切观察市场之后，我们将扩大差异化产品的销售和管理，推出以利润为导向的产品组合，以此来提高盈利能力。”

很显然，这些言论并不能支撑“供过于求”这个观点。

美光也表示：“2018财年关于新晶圆的声明，同样适用于DRAM和NAND。”

SK海力士情况更为复杂：

“对于DRAM而言，从技术迁移中获得的生产率增长其实要慢很多。迁移过程本身就很复杂，随着步骤越加增多，所需设备也就越多，生产时间变长。这就使得虽然在一定程度上增加了供应量，但难以大幅提高晶圆容量。毕竟无尘室的空间是有限的，技术迁移的投资也非常高。”

整体而言，该行业还是处于行动阶段，大家都在为自己的经济利益谋划，不过这显然对那些预测产能增加的人来说，是充满争议的。NAND与DRAM不同，它市场增长速度更迅猛，这将导致供需失衡的风险。我认为，NAND的需求增长将超过所有供应端的预测。

【相关信息】内存涨价背后的秘密

内存高温因何而生 南北韩局势成缘由?其实近期关于南北韩局势紧张的消息导致多条产品线以及生产线出现不同程度的价格上涨，LED显示器和内存、固态硬盘成为了主要的例子，韩国方面当前占据了一半的背光市场，而世界上闪存颗粒生产也被韩国厂商所统治，这也是传闻最初的源头所在。内存价格的跌宕起伏，近期热点颇多。

内存高温连续上涨2个月，高温不退，会不会成为第二个硬盘“洪水”事件呢。涨价至今的多方评论给出不同的理由，商户与消费者又把持着不同的看法，那么内存在本来就面临颓势的DIY市场而言，涨价的背后，利弊何在?

内存高温因何而生 南北韩局势成缘由?

Q1内存与PC行业的对比

对比整个行业来看，第一季度全球个人电脑发货量下降13.9%，创该数据1994年首次发布以来的最大季度降幅。第一季度个人电脑发货量仅为7630万台，这是消费者从个人电脑转向智能手机和平板电脑的最新迹象。统计数据表示，考虑到这些负面迹象，该机构可能有必要下调本已疲软的今年全球个人电脑发货量预期。目前的预期为下降1.3%。

在来看看内存，今年第一季度全球DRAM内存行业的销售收入是35.7亿美元，同比下降了41%，是2001年第四季度以来销售收入最低的。第一季度的数字还显示比去年第四季度43.8亿美元的销售收入减少了18%。内存厂商在低价位的形态下，在2012年持续了将近6个月的时间，这期间中，市场内的内存厂商供需发生着变化，诸多因素在干扰着当前的行情发展，高温的形成不是点滴的作用力。

闪存DRAM市场价格近期下跌也仅为试探(图片来源于集邦电子)

我们在今天的文章中，也来看看从消费者的角度应该如何审视高价位的内存产品，结合当前的闪存市场规划分局，深一步了解一些内存高温背后的秘密。

产品：4GB DDR3 1600(KVR16N11/4) 金士顿 内存2物极必反?内存厂商8个月损失152亿

从去年中旬开始，内存价格一路走低，在那段时间里，市场内外，用户评论对于内存产品少之又少。面对百元左右的家用内存而言，讨论价值和技术价值都构不成兴奋点，连续4个月的低价格，可所谓物极必反，从蛇年开始，每日的涨幅令人咋舌。

长达8个月的亏损

进入2013年后，有数据表示内存厂商第一季度一共会损失了25亿美元，而去年第四季度是损失了29亿美元。在过去的8个季度里，内存厂商一共损失了152亿美元。在顶着装机市场压力的前提下，同时也在DDR4迟迟未来之前，内存当时的状况不言而喻。

内存价格近一年的跌宕起伏

而事实上，从2012年12月底开始，内存市场价格的上升源于缺货和厂商间的互相提价导致，进入蛇年后，内存价格仍然毫无停涨的意思，3月份再次成为价格跳板，4GB最高195元重新回到了2年前的价位。

缺货源于减产

上游内存DRAM的减产导致了下游存储模组厂商而言必然要通过加价的形势来拯救营运，从另外的角度来看，低价的库存和调涨的产品价格必然会带来有利的销售运营。

3月底 台湾南通6.7级地震多处厂房倒塌(图片来源于favornews)

3月过后台湾南通地震也是上游方面传出产量减低的原因，三星方面也表示目前市场内供应关系尴尬，对于4月开始的内存价格也并不看好，言语间似乎透露着：降价，可能还得等一等。

产品：4GB DDR3 1600(KVR16N11/4) 金士顿 内存3市场占有率分割 南北韩关系仍有影响

尔必达破产后，目前市场上韩系厂商占据了绝对的主导地位，三星也做为目前最大的DRAM制造商而对下游的内存模组厂商的价格有绝对的调配作用。曾经上游晶圆厂一共还剩六家，蓝色代表韩系的三星、海力士;紫色代表美系的美光;代表日系的尔必达;代表台系的南亚和力晶。做为当时第三大生产商的尔必达在去年的此时，也提交了破产保护。

DRAM曾经的行业分割

曾经的六大晶圆厂格局

他们分别占据DRAM市场的比重如上图，三星占据最高份额，为41.83%。其次是海力士占据了22.76%，而尔必达则也可以占到13.48%。第四位是美光，仅相差尔必达0.1%左右。

而目前尔必达宣布破产后，近日有消息传闻，美光方面有收购尔必达的打算。日本东京地方法院2月底同意日本记忆体大厂尔必达的破产重整计划，为美国大厂美光科技出面收购铺路。

业内表示，以往美光释出的记忆体封装订单，大部分是以动态随机存取记忆体(DRAM)和NAND型快闪记忆体(NAND Flash)为主;测试部分还是由美光位于中国大陆西安测试厂自力完成。

未来即将形成的内存芯片市场占有率(百分比)

从各大晶圆厂布局来看，三星和海力士就已经占据了全部市场的60%以上份额，处在各大体系的首位。尤其是三星，凭借资金的雄厚，在制造工艺上一直领先日系和台系，其中三星的30nm芯片产能占75%，20nm芯片产能占25%。相比之下，虽然尔必达在制程上并没有落后三星、海力士太多，但是在遭遇几次DRAM寒冬后，仅仅依靠颗粒供货已经不能入不敷出，并且又没有其它盈利的产品线，导致资金链缺口日渐严重，是尔必达提出破产重组的根本原因。

小结：韩包括三星、海力士占全球DRAM市场市占率高达逾6成，若真的有战事使生产停摆，对DRAM产业影响巨大，但目前为止，DRAM产业并未因近期讯息而受到影响，基本上，调查对DRAM产业第二季看法仍维持供需缺口缩小，PC OEM厂已提早为下半年需求备货，整体价格第二季为健康续扬的展望。

产品：4GB DDR3 1600(KVR16N11/4) 金士顿 内存4卖场内外 高价位用户/商户均无奈

其实关于内存价格，反应到我们实际身上，甚至看着每日的报价新闻，用户、商户均表示无奈。而同样做为处境相同的固态硬盘原料而言，NADA Flash与DRAM的结局却是不同的。

卖场供应尴尬 商家进货保守

商户们也都表示，高价位的情况下，进货保守是必然的，曾经触底的内存今日价格反复无常，装机用户的需求量也不如从前，渠道方面的低利润都在影响着市场内部的供货，近期也频繁出现4G/8G限量供货的情况。

市场内出货量与涨价前差别不大

我们在前不久的文章中提到，很多用户在此时选择装机时会设身处地的考虑在高温价位的情况，保守入手4GB低容量还是一步到位8GB呢?但相信绝大多数人面对这样的预算时都要思考一下了。

我们在回到文章刚开始时提到的PC行业与内存行业的整体与分支对比，第一季度的个人电脑出货量也并不景气，反映到装机用户身上，三星所说的供应对比也显现了出来，这也是固态硬盘与内存在面临涨价时的不同后果，销量依然决定了最后的出路，内存就没有SSD显得那么游刃有余了。

三星旗下产品依然受高端用户喜爱，价格也令人乍舌

你高位，我不买账，现在的内存市场有点这个意思表现。从用户评论声音中并没有太多的表现出对于高价位内存心急选购的无奈，反而不时的透露出事不关己的态势。

由此也能看出，内存不像硬盘，当前家用机的需求量远没有后者来的强。所以一个片面的结论也是，内存的价格远不及硬盘的强烈啊。

产品：4GB DDR3 1600(KVR16N11/4) 金士顿 内存5最后：高价位撑到合适 DDR4渐行渐远

如果下面的时间里市场仍然如此，内存面临供不应求，DRAM价格逐渐趋于稳定，并且内存供应商数量也在逐步减少。三星，海力士以及Micron的产品主宰着内存市场，其余供应商要么被兼并，要么将重心转移向利润更高的NADN闪存业务。

目前的电脑和服务器销量并不主动推动DDR4的上市。与此同时，行业注意力正被大量引向目前快速增长的平板电脑和智能手机方向，因此供应商正集中于DDR3和其他形式的移动存储领域。

已经指定的DDR4规格

但与此同时，有分析人士指出：“DDR4可能会在2015或2016年实现在客户端设备服务器诸如个人电脑方面实现量产。”市场研究机构IC Insights预计DDR4将最早于2016年实现销量超过DDR3。但该机构预计，今年年底DDR3还将占据86%的内存市场份额，DDR2占有8%，DDR则为2%，包括极少数DDR4和PC-133 graphics DRAM在内的产品仅占4%。

供不应求如何而来

从事实上看，目前的内存涨价来源于减产导致的供不应求，从市场上看，闪存生产商的统领以及对下游模组厂商的制约，也在提升成本价格。最后在看消费者，对内存的兴趣不够，对着6成提价的市场更无兴趣，甚至我们在三大件报价中有些读者认为：百元的的销量，和现在的销量又有什么区别呢?