原标题：三星将发布新一代存储器eMRAM，取代DRAM地位仍需时日

　　目前，存储器市场以NAND Flash和DRAM为主，但是对于下一代新型存储器的探索一直持续不断。近期，存储器市场龙头企业陆续推出eMRAM的相关技术，作为企业的风向标，此举动是否会影响NAND Flash和DRAM的市场格局?新一代存储器是否具备实力争夺传统存储器的市场?

　　下一代存储器来临

　　近期，三星传出消息，将发布新一代存储器eMRAM，计划今年下半年试产1Gb eMRAM测试芯片。据了解，eMRAM模块可以很容易地插入28FDS工艺的后端，对工艺前端的依赖性较小，以便与现有的逻辑技术(包括体硅、FinFET和FDSOI晶体管)更易集成。与NAND Flash和DRAM相比，eMRAM可以进行无电源存储数据材料，并且具备极高的存储速度。三星官方表示，eMRAM属于非易失性存储器，采用Spin-torque transfer自旋传输科技进行数据的读写，因此在速度上要远超过NAND。

　　此外，eMRAM具有更低的能耗，工作期间的耗电量要远低于传统存储器，停止工作时可以断电保存。三星宣布该款产品基于其28纳米FD-SOI工艺，首款嵌入式MRAM(eMRAM)产品将投入商业生产。

　　在第64届国际电子器件会议(IEDM)上，三星展示了eMRAM在逻辑芯片制造工艺中的新技术，值得关注的是，英特尔同期也推出了自家嵌入式 MRAM的相关工艺。一时间，关于eMRAM的话题不断，有专家称，eMRAM将会是构建下一代非易失性缓存和主存的潜在存取器件之一。

　　下一代存储器的讨论一直很热。英特尔曾推出自家3D XPoint，速度介于DRAM和NAND Flash之间，被业内看成是下一代存储器的接力棒选手。但因英特尔与美光合作的终止，导致3D XPoint存储器产品前途堪忧。除此之外，相变存储器(PCM)、铁电存储器(FeRAM)、磁阻RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM或 ReRAM)、自旋转移力矩RAM(STT-RAM)、导电桥RAM(CBRAM)、氧化物电阻存储器(OxRAM)等众多新兴存储器技术或将割据未来的存储器市场。

　　取代传统存储器?

　　三星半导体在存储行业中可以称作是风向标的存在。此次，三星重磅推出eMRAM，英特尔紧随其后，两家代表性企业的这些举动，对存储器市场来说，势必会产生一些影响。

　　“对于三星半导体，公司本身就具备优异的存储器设计能力，而且还具有自己的LSI代工产能，如果未来采用自家的下一代存储器eMRAM，并且成功导入流量平台，将有助于取代部分的DRAM/NAND Flash，成为另一种分支形态的存储器解决方案。”集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)资深协理吴雅婷说。

　　下一代存储器eMRAM真的会取代DRAM和NAND Flash吗?“eMRAM只会部分取代DRAM/NAND的使用量，但并没有办法完全取代现有的存储器解决方案。”吴雅婷告诉《中国电子报》记者。在所有新一代存储器中，eMRAM的电信特性与DRAM和NAND Flash 极其相似，具备一定的优点，但并未具备完全替代DRAM和NAND Flash的性能。“使用新一代存储器，对于传统平台来说，需要改变以往的平台架构才能适应，并不是可以轻松进行使用的。”吴雅婷说。

　　新一代存储器想要获得一定的市场空间，还需要与现有的存储器解决方案进行配合，加快适应传统平台的架构，释放性能方面的优势。“如果新一代存储器与传统存储器配合得当，能够在省电以及性能方面取得一定的优势，就会为市场带来多一种存储器的选项。这将会让产业在存储器市场发生大缺货时，避免价格不稳定等问题。”吴雅婷说。