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ZXMC3A16DN8TC
型号

ZXMC3A16DN8TC

品牌:
   美台
类别: IGBT阵列
应用:
封装: SOIC-8
描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET,MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS
品牌官网: www.diodes.com
参数
数值
包装
Tape & Reel
电压电源
30 V
工作温度
-55 to 150
封装外壳
SOIC-8
系列
Pd-功率耗散
2.1W
Vgs-栅极-源极电压
20V
Id-连续漏极电流
6.4A,5.4A
产品类型
MOSFET
技术
Si
制造商
DiodesIncorporated
类型
MOSFET
最小工作温度
-55C
上升时间
6.4ns
商标
DiodesIncorporated
封装
Reel
最大工作温度
+150C
单位重量
74mg
安装风格
SMD/SMT
通道模式
Enhancement
下降时间
9.4ns
封装/箱体
SO-8
Vds-漏源极击穿电压
30V
系列
ZXMC3A
子类别
MOSFETs
典型接通延迟时间
3ns
产品种类
MOSFET
工厂包装数量
2500
晶体管极性
N-Channel,P-Channel
晶体管类型
1N-Channel,1P-Channel
通道数量
2Channel
RdsOn-漏源导通电阻
35mOhms
配置
Dual
典型关闭延迟时间
21.6ns
ContinuousDrainCurrent
+6.4,-5.4A
ResistanceDrainSourceRDS(on)
0.035Ohms
MaximumOperatingTemperature
+150C
MountingStyle
SMD/SMT
ZXMC3A16DN8TCProductDetails
ThisnewgenerationoftrenchMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagementapplications.
RiseTime
6.4ns
TypicalTurnOffDelayTime
21.6ns
FactoryPackQuantity
2500
MinimumOperatingTemperature
-55C
Package/Case
SOIC-8
Configuration
DualDualDrain
GateSourceBreakdownVoltage
+/-20V
DrainSourceBreakdownVoltage
+/-30V
PowerDissipation
2.1W
Packaging
Reel
FallTime
9.4ns
TransistorPolarity
NandP-Channel
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平台购物流程是怎样的?

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