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DTD113EKT146
型号

DTD113EKT146

品牌:
   罗姆
类别: IGBT阵列
应用:
封装: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述:ROHMSemiconductorDTD113EKT146
品牌官网: www.rohm.com
参数
数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带 可替代的包装
电压电源
工作温度
封装外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
系列
-
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
300mV @ 2.5mA, 50mA
跃迁频率
200MHz
功率 - 最大值
200mW
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
安装类型
Surface Mount
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
33 @ 50mA, 5V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆)
1k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)
1k
供应商器件封装
SMT3
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
Pd-功率耗散
200mW
零件号别名
DTD113EK
产品类型
BJTs-BipolarTransistors-Pre-Biased
峰值直流集电极电流
500mA
制造商
ROHMSemiconductor
集电极连续电流
500mA
商标
ROHMSemiconductor
封装
Reel
最大工作温度
+150C
单位重量
8mg
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
SC-59-3
典型输入电阻器
1kOhms
系列
DTD113EK
子类别
Transistors
产品种类
双极晶体管-预偏置
直流集电极/BaseGainhfeMin
33
工厂包装数量
3000
晶体管极性
NPN
典型电阻器比率
1
配置
Single
Q
A

平台购物流程是怎样的?

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