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DXT5551-13
型号

DXT5551-13

品牌:
   美台
类别: IGBT阵列
应用:
封装: TO-243AA
描述:DiodesIncorporatedDXT5551-13
品牌官网: www.diodes.com
参数
数值
包装
Cut Tape (CT) Alternate Packaging
电压电源
工作温度
封装外壳
TO-243AA
系列
-
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
200mV @ 5mA, 50mA
跃迁频率
300MHz
功率 - 最大值
1W
晶体管类型
NPN
供应商器件封装
SOT-89-3
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
160V
安装类型
Surface Mount
电流 - 集电极截止(最大值)
50nA (ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
80 @ 10mA, 5V
Pd-功率耗散
1000mW
产品类型
BJTs-BipolarTransistors
集电极—射极饱和电压
200mV
制造商
DiodesIncorporated
最小工作温度
-55C
最大直流电集电极电流
600mA
商标
DiodesIncorporated
封装
Reel
最大工作温度
+150C
单位重量
52mg
集电极—基极电压VCBO
180V
封装/箱体
SOT-89-3
系列
DXT5551
子类别
Transistors
增益带宽产品fT
300MHz
产品种类
双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)
集电极—发射极最大电压VCEO
160V
直流集电极/BaseGainhfeMin
30at50mA,5V
工厂包装数量
2500
晶体管极性
NPN
发射极-基极电压VEBO
6V
配置
Single
Q
A

平台购物流程是怎样的?

注册/登录 --搜索型号 --加入购物车/直接购买 -- 填写并核对订单--提交订单 -- 待订单审核-- 下载合同-- 合同盖章上传-- 付款-- 待收货 -- 确认收货--申请开票

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