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MMBFJ175LT1G
型号

MMBFJ175LT1G

品牌:
   安森美
类别: SCR模块
应用:
封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
描述:ON Semiconductor MMBFJ175LT1G P通道 JFET, Vds=15 V, Idss: -7 → -60mA, 3引脚 SOT-23封装
品牌官网: www.onsemi.com
参数
数值
包装
电压电源
工作温度
封装外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
系列
-
功率 - 最大值
225mW
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
30V
漏源极电压(Vdss)
-
供应商器件封装
SOT-23-3 (TO-236)
电流损耗-峰值
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
7mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
3V @ 10nA
电阻 - RDS(开)
125 Ohm
FET 类型
P-Channel
安装类型
Surface Mount
不同 Vds 时的输入电容(Cies)
11pF @ 10V (VGS)
最大漏门电压
-25V
安装类型
表面贴装
漏门导通电容值
11pF@0V
源门导通电容值
11pF@-10V
最低工作温度
-55°C
通道类型
P
Idss漏-源切断电流
-7→-60mA
引脚数目
3
尺寸
3.04x1.4x1.01mm
最大漏源电阻值
125Ω
防静电标准认证
符合
晶体管配置
ROHS标准
符合
最大漏源电压
15V
封装类型
SOT-23
最高工作温度
+150°C
配置
Single
资格
AEC-Q101
Vgs=0时的漏-源电流
7mAto
封装/箱体
SOT-23-3
系列
MMBFJ175L
制造商
ONSemiconductor
类型
JFET
产品种类
JFET
Vgs-栅源极击穿电压
30V
工厂包装数量
3000
晶体管极性
P-Channel
商标
ONSemiconductor
封装
Reel
单位重量
8mg
安装风格
SMD/SMT
Q
A

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