MicroWave Technology, Inc. 是一家全球领先的制造商，产品覆盖射频和微波分立半导体产品、砷化镓和氮化镓射频功率放大器、低噪声 pHEMT 器件、MMIC、无线放大器、混合式模块以及连接化的微波放大器。 MicroWave Technology, Inc. (MwT) 由几位技术负责人于 1982 年在加利福尼亚州硅谷成立，他们在砷化镓 (GaAs) 器件设计和制造方面拥有丰富的经验。 公司拥有占地 35000 平方英尺的工厂，主要资产包括其砷化镓半导体制造设施以及混合式芯片和线微波集成电路 (HMIC) 制造设施。 垂直制造和产品优势给 MwT 在微波元件市场带来了非同寻常的灵活性和机遇。 MwT 是美国分立砷化镓二极管和晶体管（FET、 pHEMT 和效应二极管）的领先制造商。 早期工作集中在专有的金属喷镀系统对器件可靠性的影响方面，该工艺能使 MwT 的器件不受氢污染影响，而这一点对高可靠性行业来说至关重要。 这些器件采用专有环氧氯丙烷材料和四分之一微米凹进栅极工艺技术，可以生产出更高线性度（+48 dBm IP3，在 1 W P-1 dB 无线放大器中）和更低相位噪声（-125 dBc，在 17.5 GHz DRO 条件下发生 100 KHz 偏移时）的额定功率输出从 10 毫瓦至 5 瓦的器件。 这些器件采用芯片式或封装式出售，广泛用于无线基础设施系统、工业射频应用以及在各种国防和空间电子设备中广泛用于从 10 MHz 至 40 GHz 的传输或信息接收信号的放大。