2024-03
英飞凌完善SiC MOSFET沟槽技术 200V CoolSiC G2 MOSFET
与上一代产品相比,英飞凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 将存储能量和充电量提高了 20%。第二代 CoolSiC
沟槽 MOSFET 继续利用碳化硅的性能属性,有助于减少功率转换过程中的能量损耗并提高效率。 CoolSiC G2 对硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数进行了改进。这些器件的快速......
2023-08
复位电路原理阐述:基本概念和作用、工作原理、设计要点、常见应用
摘要:本文主要对复位电路原理进行详细阐述。首先介绍了复位电路的基本概念和作用,然后从四个方面分别讨论了复位电路的工作原理、设计要点、常见应用和未来发展趋势。通过对这些内容的探讨,可以更好地理解和应用复位电路。1、复位电路的基本概念在介绍复位电路的工作原理之前,我们首先需要了解什么是复位电路。简单来说,复位电路是一种能够将系统恢复到初始状态......
2023-03
器件可抵御汽车网络中的ESD
Nexperia的六个ESD保护器件可保护卡车和商用车中使用的24
V板网系统。PESD2CANFD36XX-Q系列可保护车载网络的总线线路,如LIN、CAN、CAN-F、FlexRay和SENT,免受ESD和其他瞬变造成的损坏。 随着数据速率的提高和车辆的电气化程度越来越高,对ESD保护的需求至关重要。PESD2CANFD3......
2023-03
非线性模型简化了氮化镓器件仿真
由 苏珊·诺迪克 Gallium Semi发布了一个非线性模型库,用于其所有宽带双扁平无铅(DFN)塑料和气腔陶瓷(ACC)封装GaN晶体管。这 22 个模型采用宽带
S 参数和负载牵引测量进行设计和验证,以确保准确的仿真。 Gallium的GaN基半导体器件可用于广泛的应用,包括5G移动通信、航空航天、国防、工业、科学和医......
2023-03
专为USB PD 3.1设计的 EPC 氮化镓解决方案
EPC 基于 EPC9177 eGaN IC 的参考设计可满足新的 USB PD 3.1 对多端口充电器的严格要求。 高效电源转换 (EPC) EPC9177 是一款基于 eGaN IC 的参考设计,适用于高功率密度、扁平 DC-DC 转换器,可满足新的 USB PD
3.1 对多端口充电器和主板上 DC-DC 的严格要求,可将 ......
2023-02
瑞萨电子汽车IPD使尺寸缩小40%
新器件采用小型 TO-252-7 封装,与传统的 TO-263 封装产品相比,安装面积减少了 40%。 瑞萨电子公司推出了一款新型汽车智能功率器件(IPD),该器件将安全灵活地控制车内的配电,满足下一代E/E(电气/电子)架构的要求。 新型 RAJ2810024H12HPD 采用小型 TO-252-7 封装,与传统的 TO-263......
2023-01
意法半导体汽车级器件STTN6050H-12M1Y具有增强的功率密度
意法半导体最新的功率半导体电桥简化了组装,与传统的TO型封装相比,功率密度更高。 意法半导体(ST)推出了五款采用常用配置的功率半导体电桥,采用先进的ACEPACK
SMIT封装,与传统的TO型封装相比,简化了组装并提高了功率密度。 工程师可以从两个STPOWER 650V
MOSFET半桥、一个600V超快二极管桥、一个......