原标题：节省8颗外围的5V2A六级能效套片方案

　　作为国内一流的高低压集成技术专家，芯朋微电子本期为大家介绍爆品套片方案 PN8370M+PN8306M 5V2A六级能效充电方案。

　　该方案拥有外围极简、高可靠性、超低待机、高效率等优点，备受工程师们青睐!

　　1.方案亮点

　　外围简洁(节省8颗元件)

　　PN8370M节省2颗启动电阻;PN8306M独特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。

　　高可靠性

　　a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险;

　　b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显著提高系统安规能力，接触静电高达15kV;

　　c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。

　　低待机功耗

　　PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。

　　2.芯片封装及脚位配置图

　　PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。

　　PN8306M集成同步整流控制器及高雪崩能力MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效标准，并留有足够裕量。

　　3.方案典型应用图

　　备注：C9根据系统ESD等级可选

　　4.DEMO实物图

　　PCBA尺寸：42.0mm*31.6mm*13mm

　　5.测试数据

　　(测试条件：输入电压：90~265Vac全电压，板端测试)

　　(温度数据：CH1环境;CH2 PN8370M;CH3 PN8306M;CH4 变压器铁芯;CH5 外壳;CH6 USB)

　　6.EMC测试

　　EMI传导、辐射满足EN55032 Class B标准要求，裕量均大于6.0dB

　　ESD满足IEC61000-4-2，接触/空气高达15kV

　　EFT满足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等级要求

　　Surge满足IEC 61000-4-5:2005，1kV等级要求

　　交流绝缘满足3.75kV,60s, 漏电流小于5mA要求

　　7.应用Q&A

　　Q1: PN8306M是否需要外并二极管提高稳定性?

　　A1: PN8306M产品定位是做好PSR的配角，无需外并二极管：

　　a. PN8306M的供电欠压保护点(2.8V)低于PN8370M的输出欠压保护点(3.1V)，异常工况下，PN8370主导方案所有保护。

　　b. PN8306M内部自适应Ton,min，SR关断点滞后于PN8370M的原边采样点，彻底避免小载不稳定问题。

　　Q2: PN8306M如何提高方案的安规能力?

　　A2:得益于以下独特设计，VCC脚外挂0.1uF去耦电容，系统静电能力可提高至接触15kV:

　　a. PN8306M内部集成高雪崩能力MOSFET。

　　b. HBM ESD大于4kV，Latchup电流大于400mA，显著提高芯片抗异常电压/电流冲击能力。

　　Q3: 方案如何避免PSR与SR直通问题?

　　A3: PN8370M+PN8306M以三道防线彻底解决直通问题：

　　第一道：PN8306M基于面积法的防振铃误开通算法可有效避免SR被振铃干扰误开通。

　　第二道：PN8370M采用专利跳谷底开通算法，PSR开通点与SR振铃可能误开通点相位上错开180度，有效避免直通。

　　第三道： PN8370M内部的智能MOSFET上含有电流采样管，即使直通也可快速精准保护，避免电源损坏。