原标题：7个实用的大幅精简外围阻容元件的AC-DC电源方案

　　一直疯涨!最不受关注的电阻和电容真得涨成狗了!无论长城内外、大江南北，把整机厂商的采购和研发朋友们逼得如同火炙一般，还不见尽头。与其苦苦求人，不如咱们连根拔起，从方案上就尽可能多地去掉外围阻容元件，Chipown工程师总结出来7个实用的大幅精简外围阻容元件的AC-DC电源方案，找出有一款适合你，等于直接泻火!永久性减轻阻容供应压力!

　　(1)节省7颗阻容件，家电电源芯片：PN8034

　　Chipown高低压集成技术的经典代表产品，3Pin开关电源，极简外围。PN8034集成PFM控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，广泛应用于12V300mA Buck/Buck-Boost架构的智能家电内置电源板。

　　内置高压启动，节省2颗启动电阻;

　　内置电流采样管，节省2颗电流侦测电阻;

　　智能PFM控制技术，节省2颗输出电压采样电阻及1颗环路补偿电容。

　　(2) 节省1颗高压MOS和9颗阻容件，智能电表电源芯片：PN8145T

　　Chipown集成1200V功率MOSFET的经典代表产品。PN8145T集成PWM控制器及1200V高雪崩智能功率MOSFET，典型应用于10W SSR Flyback架构的智能电表内置电源板。

　　内置高压启动，节省3颗启动电阻;

　　内置1200V功率MOSFET，单端反激架构即可满足三相电网电输入，节省1颗功率开关管及6颗驱动外围器件。无需类似其他友商650V耐压产品要外部串联高压MOS分压。

　　(3) 节省10颗阻容件/光耦，0瓦待机电源芯片：PN6367

　　Chipown集成深度休眠技术的经典代表产品。PN6367集成多模式控制器及720V高雪崩智能功率MOSFET，典型应用于PSR Flyback架构的微型断路器内置电源板。

　　内置高压启动，节省2颗启动电阻;

　　原边反馈及控制，节省光耦及TL431反馈网络等8颗外围器件;

　　与MCU配合，芯片实现深度休眠，为当前行业最精简的MCB电源解决方案。

　　(4)节省6颗阻容件，24W无散热片六级能效电源芯片：PN8160T

　　Chipown高低压集成技术的SSR代表产品。PN8160T集成六级能效控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，广泛应用于12V2A SSR Flyback架构的六级能效适配器。

　　内置高压启动，节省2颗启动电阻;

　　内置电流采样管，节省4颗CS侦测器件，并以Trim技术实现3%OCP精度;

　　叠层封装技术提高功率密度，24W应用无需散热片。

　　(5) 节省11颗阻容件，专打印度过欠压的电源芯片：PN6370P

　　Chipown集成不重启过欠压技术的代表产品。PN6370P集成多模式控制器及800V高雪崩智能功率MOSFET，广泛应用于12W PSR Flyback架构的印度市场专用的充电器、适配器。

　　内置高压启动，节省2颗启动电阻;

　　内置市电侦测模块，节省9颗外围器件，实现行业最安全的输入高压保护方式：不锁死，不重启，不掉电。

　　(6) 节省10颗阻容件/光耦，24W全集成PSR电源芯片：PN8395H

　　Chipown集成CCM技术的PSR代表产品。PN8395H集成六级能效控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，典型应用于12V2A的PSR Flyback架构的六级能效适配器。

　　内置高压启动，节省2颗启动电阻;

　　原边反馈及控制，节省光耦及TL431反馈网络等8颗外围器件;

　　支持DCM及CCM工作模式，率先突破PSR 24W功率集成的技术挑战。

　　(7) 节省4颗阻容件，零外围同步整流器：PN8306M

　　Chipown全集成技术的SR代表产品。PN8306M集成同步整流控制器及40V智能功率MOSFET，广泛应用于5V2A PSR Flyback架构的六级能效充电器、USB排插电源板。

　　节省传统方案所需的1颗SW限流电阻和1颗RT调节电阻;

　　内置MOSFET的 dv/dt变化缓慢，节省2颗RC snubber器件;

　　采用输出电压供电，可实现零外围工作。