原标题：变压器顺绕如何搞定12V2A六级能效？

　　本期，芯朋微技术团队为各位粉丝分享基于同步整流技术的12V2A六级能效先进方案。并为攻城狮们解答以下热点问题：24W电源方案如何节省更多阻容?变压器如何使用顺绕结构满足六级能效?还能有2个点以上裕量?功率半导体器件如何降低温升并移去散热器?

　　答案是：

　　全集成转换器PN8160T  +  全集成同步整流PN8308M

　　后附详细的方案设计流程及要点。

　　1.封装及脚位配置图

　　PN8160T封装及脚位配置图

　　PN8160T全集成六级能效控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，广泛应用于12V2A SSR Flyback架构的六级能效适配器。

　　内置高压启动，节省2颗启动电阻;内置电流采样管，节省4颗CS侦测器件，并以Trim技术实现3%OCP精度;叠层封装技术提高功率密度，24W应用无需散热片。

　　PN8308M封装及脚位配置图

　　PN8308M全集成电流型同步整流控制器及80V智能功率MOSFET，广泛应用于12V2A DCM/CCM Flyback架构的六级能效适配器。

　　高集成度，可实现零外围工作;取代二极管整流，平均效率可提升2%，从而降低变压器(采用顺绕结构)及输出线材成本。

　　2.PCB及DEMO实物图

　　3.方案典型应用图

　　4.方案特性

　　PCBA尺寸：67mm*42mm*20mm

　　输入电压：90~265Vac全电压

　　输出规格：12V/2A

　　平均效率：≥86.8%

　　待机功耗：<75mW

　　启动时间：<200ms(90Vac)

　　拥有输出短路保护，输出过压保护，输出过流保护，VDD过压保护，DMG分压电阻开路短路保护，以及过温保护

　　5.测试数据

　　(温度数据：CH1环境;CH2 PN8160T;CH3 铁芯;CH4 线包;CH6 8308M;)

　　6.EMC测试

　　EMI传导、辐射满足EN55032 Class B标准要求，裕量均大于6.0dB

　　ESD满足IEC61000-4-2，8kV/15kV等级要求

　　EFT满足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等级要求

　　Surge满足IEC 61000-4-5:2005，L-N 4KV,L-PE 4KV,L-PE 4KV等级要求

　　交流绝缘满足3.75kV,60s, 漏电流小于5mA要求

　　7.应用设计要点

　　a. 同步整流

　　PN8308M根据内部MOSFET的Vds电压及Isd电流来开通和关断SR，内部固化Tonmin和Toffmin来提高抗干扰性及精简外围;

　　SW与GND引脚建议增加RC吸收以减小CCM模式下Vds尖峰，VDD引脚建议增加RC低通滤波以增强系统的ESD能力。

　　b. 输入电容Cbus选取

　　Cbus容量决定了变换器输入电压Vg的波动量，由能量守恒可知

　　在CCM模式下，Vg,min与最大占空比Dmax关系如下

　　由于PN8160内置斜率补偿且允许Dmax>0.7，相比PSR产品(通常Dmax限定在0.5以内)，支持大匝比和小输入电容设计。

　　c. 变压器设计

　　第一步：在高压输入(Vg2=300V，fs2=65kHz)&额定负载下设定变压器n及Lp，使其反激变换器在临界模式工作，第一谷底附近开通，且在Idlimit工作点变压器不饱和。

　　第二步：在低压输入(Vg1=90V，fs1=85kHz)&额定负载，计算Krp及Dmax，设定变压器原副边绕组线径及圈数，电流密度合理且可绕制。

　　第三步：设定Vcc&屏蔽绕组，选择绕线结构：供电8-40V之间， Y电容两端干扰量2V以内。

　　d. DMG参数设计

　　根据分频电压，先设定R1

　　根据输出OVP电压，再设定R2

　　e. 反馈网络设置

　　环路补偿器传递函数