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功率管与三极管的区别以及功率管的安装注意事项和作用

2017-06-15
类别:行业趋势
eye 687
文章创建人 拍明

       功率管和三极管的区别

半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。三极管最基本的作用是放大作用,它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。

三极管的分类

1. 按材质分: 硅管、锗管

2. 按结构分: NPN PNP

3. 按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.

也就是说功率管也是三极管.而功率管又分低频小功率管、高频小功率管、低频大功率管、高频大功率管几类,这可以从其型号的最后的字母区分开来(国内标准依此等同为:XGDA)

功率放大(功放):利用三极管的电流放大原理将电源的能量转化成需要的能量形式(模拟、数字等)。按照使用结构分为:

1. 甲类功放:信号的整个周期内都有电流流过三极管。静态工作点位于交流负载线的中间,静态(输入信号为0)时电源仍然消耗功率,效率最大只能达到50%

2. 乙类功放:信号只在半个周期有电流流过三极管。静态工作点在 IB=0 处静态时,电源不消耗功率,效率可达到80%左右。

功率管与三极管的区别以及功率管的安装注意事项和作用.jpg

3. 甲乙类功放:信号的大半个周期有电流流过三极管。静态工作点偏低,静态时电源消耗的功率较小,效率大于50%

当然。还有一些变化的电路(IC):乙类互补对称电路 (OTL电路)

电磁炉屡烧功率管的八大因素

在电磁炉的维修中,功率管的损坏占有相当大的比例,若没有查明故障原因就贸然更换功率管,会引起再次损坏,笔者在电磁炉的维修中经过不断摸索和总结,归纳出损坏功率管的八大原因,供参考。

原因一:0.3uf/1200v谐振电容,5uf/400v滤波损坏或容量不足。

在电磁炉中,若0.3uf谐振电容,5uf滤波电容容量变小,失效或特性不良,将导致电磁炉LC振荡电路频率偏高,从而引起IGBT管的损坏,经查其他电路无异常时,我们必须将这两个电容一起更换。

原因二:IGBT管激励电路异常

振荡电路输出的脉冲信号不能直接控制IGBT管饱和,导通,截止,必须通过激励电路脉冲信号放大来完成,如果激励电路出现问题,高电压就会加到IGBT管的G极,导致IGBT管瞬间击穿,常见为驱动管S8050,S8550连带损坏。

原因三:同步电路异常

同步电路在电磁炉的主要作用是保证加到IGBT管的G极上的开关脉冲前沿与IGBT管上的VCE脉冲后沿同步,当同步电路工作异常时,导致IGBT管瞬间击穿损坏。

原因四:18V工作电压异常

在电磁炉中,当18V工作电压异常时会使IGBT管激励电路,风扇散热系统及LM339工作异常,导致IGBT管上电瞬间损坏。

原因五:散热系统异常

电磁炉工作在大电流状态下,其发热量大,如果散热系统出现故障会导致IGBT管过热损坏。

原因六:单片机异常

单片机内部异常会因工作频率异常而烧毁IGBT

原因七:VCE检测电路异常

VCE检测电路将IGBT管的集电极上的脉冲电压通过电阻分压,取样获得其取样电压,此电压变化的信息送人CPUCPU监测该电压的变化,发出各种相应指令,当VCE检测电路异常时,VCE脉冲幅度值超过IGBT的极限值,从而导致IGBT 的损坏

原因八:用户锅具变形或锅底凹凸不平

在锅底产生的涡流不能均匀的使变形的锅具加热,从而锅底温度传感器检测失常,CPU因检测不到异常的温度而继续加热,导致了IGBT 的损坏。

如何分辨电磁炉用功率管的好坏

管子脚向下,管子正面向自己,左起是门极,集电极,发射极,用万用表R1K档测:在检测前先将1GBT管三只引脚短路放电(NCE25GD120T)防止影响检测准确度。

1、用万用表红表笔和黑表笔分别检测 GEGC两极间的正反向阻值,对于良好的管子上述测值均为无穷大。

2、用万用表红表笔接G极,黑表笔接E极,所测值应在3.5—7.5千欧左右时所测管为内含阻尼二极管的1GBT管,若所测阻值在60千欧以上则所测管内不含阻尼二极管。

3、若所测管三个引脚间阻值均很小,说明该管已击穿损坏。

4、若所测三个引脚电阻均为无穷大,说明该管开路损坏。以上测值根据使用万用表型号不同,阻值可能略有差异。

功率管的选取

LDODC-DC中功率管有的时候会选取P管或者N管,他们各有好处。

一、N管功率管优点:

1PSRR较好,由于采用PMOS管电源和源端相连接,纹波信号会直接影响输出电流电压的变化,造成PSRR下降。

2、驱动能力较大,由于N沟道是电子为载流子,它的迁移率是空穴的三倍,所以具有更强的驱动能力,在设计电路时可以减少功率管的数量,减小芯片面积。

二、PMOS管优点:

1dropout电压较小,由于采用N管的输出最大为vin-vth,而采用P管的输出最大电压为Vin-vds,而vds可也做到很小,但是vth却有0.6V左右,所以采用P管效率较高。

2、采用N管做功率管会存在衬偏,而P管就不存在衬偏问题。

3DC-DCN管需要升压电路,增加了设计电路的复杂度。

N管和P管各有好处,在选取过程中要根据具体情况进行分析。

功率管,对于很多人来说,是非常熟悉的东西,很多有电的地方,都会使用到功率管,但是功率管的作用有哪些?功率管安装时需要注意些什么呢?

功率管安装注意事项

第一、功率管安装过程当中,如果想要后期能够安全使用的话,那么在线路的设计过程当中,一定不能超过功率管的耗散功率。尤其是针对最大漏源电压以及相关的最大电流等参数的极限值,必须符合规定的标准。

第二、要知道功率管的输人阻抗比较高,,所以商家们不管是在运输过程当中,还是贮藏过程当中,都应该将功率管引出脚短路。然后使用符合标准的金属屏蔽包装,这样可以防止外来感应电势,从而将其栅极击穿。尤其值得注意的是,不能把功率管放入到塑料盒子当中。在功率管安装之前,保存的时候尽可能的放入符合标准的金属盒内,并且还需要注重功率管的防潮措施。

第三、在进行功率管安装的时候,为了防止功率管栅极感应击穿的现象产生。所以针对相关工作台、测试仪器以及相关线路本身等方面,都需要严格按照规定的要求进行良好的接地。

第四、对于功率管安装以及使用,都需要具备良好的散热条件。因为这样的管材是在高负荷的情况下进行运用的。如果散热条件不够,则很可能导致其出现不同程度的故障。想要在安装以及后期使用过程当中,让功率管保持一个稳定的状态,那么首先就要维持一个良好的散热条件。确保壳体温度不会高于规定的标准,这样才能使得功率管更好的运行和工作。

功率管的作用

作用一:使功率放大,把功率管放置在电路的末端,可以增加电路末端的电流输入量和输出量,从而满足大功率物品的用电情况,因此,一般情况下,向电磁炉这样的大功率的产品上面都会安装有功率管。

作用二:使用功率管可以确保人们在使用电器时的安全,如果在大功率电器上安装普通的SOM场效应管,而当超过300v的电压通过开关管、加热线圈时会产生非常大的电阻,此时普通的SOM场效应管是无法满足需要的,因为SOM场效应管会很快发热,难以长时间的进行工作。但是大功率可以满足这个,所以人们通常会把功率管和SOM场效应管结合起来,让SOM场效应管充当推动管,让功率管充当推动管。

功率管的散热过程

由于散热器底面与功率管表面之间会存在很多沟壑或空隙,其中都是空气。由于空气是热的不良导体,所以空气间隙会严重影响散热效率,使散热器的性能大打折扣,甚至无法发挥作用。为了减小功率管和散热器之间的空隙,增大接触面积,必须使用导热性能好的导热材料来填充,导热硅酯、导热硅()胶垫。如下图所示,芯片发出的热量通过导热材料传递给散热器,再通过风扇的高速转动将绝大部分热量通过对流(强制对流和自然对流)的方式带走到周围的空气中,强制将热量排除,这样就形成了从功率管,然后通过散热器和导热材料,到周围空气的散热通路。

 



责任编辑:Davia

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标签: 功率管 三极管

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