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关于BLUE ROCKET

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佛山市蓝箭电子股份有限公司是国内著名的半导体器件专业研发制造商，公司前身是佛山市无线电四厂，创建于1969年。产品系列有各种封装的三极管、LED封装、场效应管（MOSFET）、稳压IC、肖特基二极管、可控硅及各种LED照明灯具、背光模块等，产品应用领域包括家用电器、电光源、汽车电子、新能源、IT数码、通信、玩具、仪器仪表、显示屏、背光源和LED灯饰照明等。

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产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：600mA 额定功率：300mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：160V

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产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：1.5A 额定功率：500mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：30V

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其他晶体管

集电极电流Ic：2A 额定功率：1W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：32V

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其他晶体管

集电极电流Ic：150mA 额定功率：300mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.9Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：56W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道

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其他晶体管

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稳压二极管

最大功率：500mW 精度：- 反向漏电流：0.1uA @ 15.4V 稳压值(典型值）：22V

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稳压二极管

最大功率：500mW 精度：- 反向漏电流：0.1uA @ 16.8V 稳压值(典型值）：24V

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快恢复二极管

正向压降(Vf)：1.3V 1A 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：5μA 1kV 反向恢复时间(trr)：500ns

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开关二极管

二极管配置：1对共阴极功率：350mW 正向压降(Vf)：1.25V 200mA 直流反向耐压(Vr)：200V 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：400mA 反向电流(Ir)：100nA 200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度(最小值)：-65℃ (Tj)

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产品分类：

开关二极管

二极管配置：独立式功率：400mW 正向压降(Vf)：1.25V 200mA 直流反向耐压(Vr)：200V 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：200mA 反向电流(Ir)：100nA 200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度(最小值)：-65℃ (Tj)

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稳压二极管

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产品分类：

射频用FET/MOSFET

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其他晶体管

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其他晶体管

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